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J-GLOBAL ID：201702214565733170   整理番号：17A0776122

γLiAIO_2基板上にHVPE法によるm面GaN膜における異方性の解析【Powered by NICT】

Analysis of the anisotropy in an m-plane GaN film via HVPE on a γ-LiAIO_2 substrate

著者 (8件)： Tian Mi (Department of Physics, Nanjing University) ,  Xiu Xiangqian (Department of Physics, Nanjing University) ,  Zhang Rong (Department of Physics, Nanjing University) ,  Hua Xuemei (Department of Physics, Nanjing University) ,  Liu Zhanhui (Department of Physics, Nanjing University) ,  Han Ping (Department of Physics, Nanjing University) ,  Xie Zie (Department of Physics, Nanjing University) ,  Zheng Youdou (Department of Physics, Nanjing University)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 30  号： 9  ページ： 13-15  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.09mm m面GaN膜はγLiA1O_2substrate上に水素化物気相エピタクシー(HVPE)により蒸着した。m面内にc軸を異なる角度の方向間の異方性を研究するために,光ルミネセンス(PL)測定を行った。結果は,電子遷移はc軸に沿った電場,明らかな異方性をもたらすにより影響を受けたが,その影響はc軸に沿って六方晶対称性により弱められたことを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子遷移 ,  *窒化ガリウム ,  電場 ,  *異方性 ,  六方晶系 ,  光ルミネセンス ,  対称性

著者キーワード (5件)： γLiAIO_2 ,  GaN ,  HVPE ,  anisotropy ,  PLスペクトル

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： HVPE ,  GaN ,  異方性 ,  解析