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J-GLOBAL ID：201702214588659182   整理番号：17A0381559

熱起電力ハーベスタシリコンナノワイヤアレイ【Powered by NICT】

Silicon nanowire arrays thermoelectric power harvester

著者 (3件)： Tahrim Aqilah A. (Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia, Skudai, Johor, MALAYSIA) ,  Ahmad Anita (Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia, Skudai, Johor, MALAYSIA) ,  Ali Mohamed Sultan Mohamed (Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia, Skudai, Johor, MALAYSIA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MEMS  ページ： 728-731  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,熱電電力ハーベスタとしてのシリコンナノワイヤアレイ(SiNWA)とバルクSi材料の性能を調べることである。SiNWAは二段階金属支援化学エッチング法を用いて開発した。1×1cmのp型およびn型SiNWAの作製した熱電素子は,各70~100nm,近似ナノワイヤ長さ6μmの直径を有していた。バルクSiデバイスもSiNWA熱電素子のためのベンチマークとして試験した。SiNWAデバイスを横切る熱流は高温と低温の接合部間のより高い温度差ΔT,バルクシリコンデバイスに比べて示した。これはけい素の熱容量,Cは,ナノワイヤの存在によって著しく減少することを明らかにした。,Cの減少もシリコンの熱伝導率,良好な熱電材料に有利なを減少させた。バルクシリコンと比較して,SiNWA熱電素子は,より高いSeebeck電圧,V_oc,Seebeck係数,S.を実証した。電圧は二接合間のΔTが増加するにつれて上昇した。SiNWA熱電素子におけるV_ocとSの増加は性能指数と熱電素子の効率を改善するために役立つ。全ての作製された熱電素子の実験的特性評価はp SiNWAデバイスは40秒で17°Cの最大ΔTを持つことを示唆するV_oc=約35mVと約8mV/K。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱伝導率 ,  *熱起電力 ,  熱電素子 ,  熱電材料 ,  熱流 ,  *電力 ,  性能指数 ,  高温 ,  ケイ素 ,  キャラクタリゼーション ,  熱容量 ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  バルクシリコン ,  温度差 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化,還元  (CF02060T)

タイトルに関連する用語 (1件)： 熱起電力