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J-GLOBAL ID：201702214618325760   整理番号：17A0062057

Dirac点近傍のゲート調整可能なトポロジカル絶縁体ナノワイヤ電界放出トランジスタにおける低周波雑音【Powered by NICT】

Low-Frequency Noise in Gate Tunable Topological Insulator Nanowire Field Emission Transistor near the Dirac Point

著者 (5件)： Zhang Hao (Department of Physics, Northwest University) ,  Song Zhijun (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Feng Junya (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Ji Zhongqing (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Lu Li (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 8  ページ： 087302-1-087302-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低周波フリッカ雑音は,通常,材料欠陥または製作手順の欠陥と関連している。今まで,トポロジカル絶縁体のフリッカ雑音,トポロジー的に保護された導電性表面は後方散乱の影響を受けないで理論的にについての知識は非常に限られただけである。バルク伝導率を抑制するために,アンチモンをドープしたBi2Se3ナノワイヤを合成し,極低温での輸送測定を行った。低周波電流雑音測定は高ドレイン電流領域で雑音振幅はHoogeの経験的関係により記述できることを示したが,雑音レベルはDirac点近くでHoogeのモデルによって予測されたものより有意に低かった。さらに,低ドレイン電流領域で特異的なドレイン電流の雑音パワースペクトル密度の異なる周波数応答はトポロジカル絶縁体の騒音源の複雑な起源を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  パワースペクトル密度 ,  アンチモン ,  *低周波雑音 ,  ドーピング ,  *LF【周波数】 ,  *雑音 ,  後方散乱 ,  極低温 ,  1/f雑音 ,  雑音指数 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  電流雑音 ,  *Dirac点 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： Dirac点 ,  近傍 ,  ゲート ,  トポロジカル絶縁体 ,  ナノワイヤ ,  電界放出 ,  トランジスタ ,  低周波雑音