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J-GLOBAL ID：201702214629554966   整理番号：17A0759295

高性能単分子層遷移金属ジスルフィドの同時合成【Powered by NICT】

Concurrent Synthesis of High-Performance Monolayer Transition Metal Disulfides

著者 (11件)： Sun Linfeng (Pillar of Engineering Product Development, Singapore University of Technology and Design, 8 Somapah Road, 487372, Singapore) ,  Leong Wei Sun (Pillar of Engineering Product Development, Singapore University of Technology and Design, 8 Somapah Road, 487372, Singapore) ,  Leong Wei Sun (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Yang Shize (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Chisholm Matthew F. (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Liang Shi-Jun (Pillar of Engineering Product Development, Singapore University of Technology and Design, 8 Somapah Road, 487372, Singapore) ,  Ang Lay Kee (Pillar of Engineering Product Development, Singapore University of Technology and Design, 8 Somapah Road, 487372, Singapore) ,  Tang Yongjian (Department of Physics, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Mao Yunwei (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Kong Jing (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Yang Hui Ying (Pillar of Engineering Product Development, Singapore University of Technology and Design, 8 Somapah Road, 487372, Singapore)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 27  号： 15  ページ： ROMBUNNO.201605896  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 今日まで,化学蒸着(CVD)法は,遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)の成長のための広く用いられている。しかし,TMDを合成するために報告されているCVD法は1つ以上の型TMDを成長させるために使用することができない。本研究では,同時に1回多重単層遷移金属ジスルフィドを合成する有望なCVD法を報告した。光電気特性及び高分解能透過型電子顕微鏡は,単分子層結晶の高品質を示し,より重要なことは,成長プロセスの過程での異なる前駆体の間の混合,著者らの装置における前駆体のガス流れ動力学と濃度分布を考慮して研究されているされていない。この戦略は,2D材料のバッチ生産と標準的な最先端の相補的金属-酸化物-半導体(CMOS)製造技術の同時合成法のための有望な将来性を示している。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 濃度分布 ,  半導体 ,  化学蒸着 ,  バッチ生産 ,  電気特性 ,  *単分子層 ,  前駆体 ,  *遷移金属 ,  生産技術 ,  気体流 ,  多重化 ,  酸化物 ,  *ジスルフィド
準シソーラス用語： 高品質 ,  HRTEM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D材料 ,  バッチ生産 ,  化学蒸着 ,  同時合成 ,  遷移金属二カルコゲン化物

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高性能 ,  単分子層 ,  遷移金属 ,  ジスルフィド