文献

J-GLOBAL ID：201702214689595425   整理番号：17A0747122

Mg~2+/Er~3+共ドープLiNbO_3結晶の電気光学特性:Mg~2+濃度しきい値効果【Powered by NICT】

Electro-Optic Property of Mg²⁺/Er³⁺-Codoped LiNbO₃ Crystal: Mg²⁺ Concentration Threshold Effect

著者 (14件)： Du Wan-Ying (Department of Opto-electronics and Information Engineering, School of Precision Instruments and Opto-electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Du Wan-Ying (Key Laboratory of Optoelectronics Information and Technical Science (Ministry of Education), Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Zhang Zi-Bo (University of Toulouse 3, Faculty of Engineering, 118 Route de Narbonne, F-31062, Toulouse, France) ,  Ren Shuai (Department of Opto-electronics and Information Engineering, School of Precision Instruments and Opto-electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Ren Shuai (Key Laboratory of Optoelectronics Information and Technical Science (Ministry of Education), Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Wong Wing-Han (Department of Opto-electronics and Information Engineering, School of Precision Instruments and Opto-electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Wong Wing-Han (Key Laboratory of Optoelectronics Information and Technical Science (Ministry of Education), Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Wong Wing-Han (Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory of Millimeter Waves, City University of Hong Kong, Kowloon, Hong Kong SAR, China) ,  Yu Dao-Yin (Department of Opto-electronics and Information Engineering, School of Precision Instruments and Opto-electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Yu Dao-Yin (Key Laboratory of Optoelectronics Information and Technical Science (Ministry of Education), Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Pun Edwin Yue-Bun (Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory of Millimeter Waves, City University of Hong Kong, Kowloon, Hong Kong SAR, China) ,  Zhang De-Long (Department of Opto-electronics and Information Engineering, School of Precision Instruments and Opto-electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Zhang De-Long (Key Laboratory of Optoelectronics Information and Technical Science (Ministry of Education), Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Zhang De-Long (Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory of Millimeter Waves, City University of Hong Kong, Kowloon, Hong Kong SAR, China)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 100  号： 1  ページ： 286-292  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一連のMg~2+/Er~3+を共ドープした一致LiNbO_3結晶は0.5mo1%Er_2O_3を含む成長融液からCzochralski法により成長させたが,変化したMgO含有量0.0~7.0mo1%であった。これらの結晶の非固定電気光学係数γ_13とγ_33をMach-Zehnder干渉測定により測定した。二つの異なる電圧印加方式を採用した:一つは結晶表面上に被覆したAl膜による結晶に印加した直流電圧で,もう一つは対外部Cuスラブ電極を介してである。二方式により測定された係数はMg~2+濃度に対して同じように強い依存性を示した。依存性は非単調,劇的な,異常であり,光損傷の二Mg~2+濃度しきい値の特徴を明らかにする:11.2 2.0mo1%(結晶)のMg~2+濃度範囲と4.5 5.0mo1%であった。しきい値周りの電気光学係数は最初は急激に減少し,その後は急激に回復すると,係数は第一(第二)しきい値,かなり誤差3%を超えるで>20%(12%)により低下した。劇的な挙動はLiNbO_3のEO係数モデルとMg~2+をドープしたLiNbO_3の欠陥構造モデルに基づいて定性的に説明した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： アルミニウム ,  ニオブ酸リチウム ,  干渉測定 ,  *ドーピング ,  直流電圧 ,  Czochralski法 ,  *結晶 ,  酸化マグネシウム ,  *光学的性質
準シソーラス用語： 欠陥構造 ,  光損傷 ,  電圧印加 ,  電気光学係数 ,  融液 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ニオブ酸リチウム ,  光学材料/特性 ,  不純物 ,  ドーパント/ドーピング

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  結晶 ,  光学特性 ,  しきい値