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J-GLOBAL ID：201702214716988949   整理番号：17A0703622

ヘテロエピタキシャルInGaAs/GaAs二分子層を介したSiプラットフォーム上の一軸歪,巻いた単層CVDグラフェンの実現【Powered by NICT】

Realization of uniaxially strained, rolled-up monolayer CVD graphene on a Si platform via heteroepitaxial InGaAs/GaAs bilayers

著者 (6件)： Mao Guoming (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China. [e-mail]) ,  Wang Qi ,  Chai Zhaoer ,  Liu Hao ,  Liu Kai ,  Ren Xiaomin
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 24  ページ： 14481-14486  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直径4.5 5.4μmのIII-V族半導体/グラフェン管状構造はヘテロエピタキシャルInGaAs/GaAs二重層と共にまで圧延単層CVDグラフェンによるシリコンプラットフォーム上に作製した。走査電子顕微鏡(SEM)は,SiベースのInGaAs/GaAsマイクロチューブの壁に付着し転写グラフェンことを明らかにした。顕微Raman分光測定は完全に圧延まで平面グラフェン後のグラフェンのG及び2Dバンドの顕著な赤方偏移を示し,ロールアップグラフェンは一軸性の引張歪み下にあり,歪みはロールアップInGaAs/GaAsマイクロチューブから生じることを反映していた。も直径3.7及び4.7μmのGaAsベースIII-V半導体/グラフェン管状構造を作製し,それぞれグラフェン歪み工学(すなわち,マイクロチューブ直径の減少とともにロールアップグラフェン増加のRaman赤方偏移と引張歪)へのアプローチを発見した。明らかに,Siプラットフォーム上の巻き上げられた形でIII-V族半導体を用いた歪んだグラフェンを将来のSiベースの電子的および光学的種々の応用をもたらすであろう。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *一軸 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *単一層 ,  *ヒ化ガリウム ,  Raman分光法 ,  *グラフェン ,  走査電子顕微鏡 ,  赤方偏移 ,  半導体
準シソーラス用語： III-V半導体 ,  引張歪 ,  ミクロチューブ ,  二重層 ,  *一軸歪 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (9件)： InGaAs ,  GaAs ,  二分子層 ,  Si ,  プラットフォーム ,  一軸歪 ,  単層 ,  CVD ,  グラフェン