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J-GLOBAL ID：201702214872805958   整理番号：17A0470297

高パワーインパルスマグネトロンスパッタリングプラズマ電源により成長させた窒素ドープTiO_2薄膜に及ぼす熱アニーリングの効果【Powered by NICT】

Thermal annealing effect on nitrogen-doped TiO₂ thin films grown by high power impulse magnetron sputtering plasma power source

著者 (5件)： Stegemann C. (Technological Institute of Aeronautics, Plasmas and Processes Laboratory, Sao Jose dos Campos, SP, Brazil.) ,  Moraes R.S. (Technological Institute of Aeronautics, Plasmas and Processes Laboratory, Sao Jose dos Campos, SP, Brazil.) ,  Duarte D.A. (Federal University of Santa Catarina, Technological Centre of Joinville, Department of Mobility Engineering, Joinville, SC, Brazil) ,  Massi M. (Technological Institute of Aeronautics, Plasmas and Processes Laboratory, Sao Jose dos Campos, SP, Brazil.) ,  Massi M. (Mackenzie Presbyterian University, Sao Paulo, SP, Brazil)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 625  ページ： 49-55  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 研究は,蒸着後の熱アニーリングの電源と効果を高出力インパルスマグネトロンスパッタリング(HiPIMS)を用いた窒素ドープ二酸化チタン(N TiO_2)薄膜のプラズマ支援成長について報告した。膜は低圧で堆積した。関心,エネルギーギャップ,膜の結晶度と形態の元素の結合エネルギーは,アニーリングの前後に分析した。結果が,アニーリングプロセス後に,酸化促進に起因すること,結合エネルギーの増加を示した。HiPIMSによって成長させたのみ窒素ドープ試料は置換窒素の存在を示した。膜のエネルギーギャップはドーピングとアニーリング後に減少することが分かった。表面平滑化で見られる,格子定数の減少を示している結晶ピークの少量のシフトを伴い結晶化度の改善は,熱アニーリング後に観察された。HiPIMS,窒素ドーピングと堆積後熱アニーリングによる膜の成長の結果として,光触媒およびエネルギー応用のための関連性を持つ膜の特性の改善が観察された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エネルギーギャップ ,  結晶度 ,  *窒素 ,  *プラズマ ,  光触媒 ,  結合エネルギー ,  平滑化 ,  低圧 ,  *ドーピング ,  *焼なまし ,  格子定数 ,  二酸化チタン ,  高出力 ,  *熱アニーリング ,  *窒素ドーピング

著者キーワード (4件)： NドープTiO_2 ,  高出力インパルスマグネトロンスパッタリング ,  結合エネルギー ,  表面酸化

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 成長 ,  窒素ドープ ,  薄膜 ,  熱アニーリング