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J-GLOBAL ID：201702214959834600   整理番号：17A0475066

単分子層を用いたトップダウンドーピング電子ビーム作製したゲルマニウムナノワイヤ【Powered by NICT】

Doping top-down e-beam fabricated germanium nanowires using molecular monolayers

著者 (20件)： Long B. (Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Dyke Parade, Cork, Ireland) ,  Long B. (Materials Chemistry & Analysis Group, Department of Chemistry, University College Cork, Ireland) ,  Alessio Verni G. (Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Dyke Parade, Cork, Ireland) ,  Alessio Verni G. (Materials Chemistry & Analysis Group, Department of Chemistry, University College Cork, Ireland) ,  O’Connell J. (Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Dyke Parade, Cork, Ireland) ,  O’Connell J. (Materials Chemistry & Analysis Group, Department of Chemistry, University College Cork, Ireland) ,  Shayesteh M. (Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Dyke Parade, Cork, Ireland) ,  Gangnaik A. (Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Dyke Parade, Cork, Ireland) ,  Gangnaik A. (Materials Chemistry & Analysis Group, Department of Chemistry, University College Cork, Ireland) ,  Georgiev Y.M. (Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Dyke Parade, Cork, Ireland) ,  Georgiev Y.M. (Materials Chemistry & Analysis Group, Department of Chemistry, University College Cork, Ireland) ,  Carolan P. (Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Dyke Parade, Cork, Ireland) ,  O’Connell D. (Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Dyke Parade, Cork, Ireland) ,  Kuhn K.J. (Components Research, Intel Corporation, Hillsboro, Oregon, USA) ,  Clendenning S.B. (Components Research, Intel Corporation, Hillsboro, Oregon, USA) ,  Nagle R. (Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Dyke Parade, Cork, Ireland) ,  Duffy R. (Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Dyke Parade, Cork, Ireland) ,  Holmes J.D. (Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Dyke Parade, Cork, Ireland) ,  Holmes J.D. (Materials Chemistry & Analysis Group, Department of Chemistry, University College Cork, Ireland) ,  Holmes J.D. (Advanced Materials and BioEngineering Research (AMBER), Trinity College Dublin, Dublin 2, Ireland)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 62  ページ： 196-200  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Geナノワイヤの分子層ドーピングについて述べた。ドーパント原子を含む分子は,ゲルマニウム表面に化学的に結合した。その後のアニーリングは,表面に結合した分子からのドーパント原子を可能にする下地基板中に拡散する。電気および材料特性化を行い,Ge表面,キャリア濃度と結晶品質の評価を含めた。注目すべきことに,幅30nmまでのGeナノワイヤの固有抵抗,MLDを用いたドープした,は数桁の大きさで減少することが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  *ゲルマニウム ,  下地 ,  電気抵抗率 ,  *ナノワイヤ ,  *単分子層 ,  *ドーピング ,  ドーパント ,  キャリア密度 ,  *電子ビーム
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  材料特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 分子層ドーピング ,  Nanowires ,  Semiconductors ,  ゲルマニウム ,  共形 ,  非破壊

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 単分子層 ,  トップダウン ,  ドーピング ,  電子ビーム ,  作製 ,  ゲルマニウム ,  ナノワイヤ