文献

J-GLOBAL ID：201702214989088156   整理番号：17A0311887

室温付近での応用のためのAg_2Se熱電薄膜の非エピタクシーパルスレーザ蒸着【Powered by NICT】

Non-epitaxial pulsed laser deposition of Ag₂Se thermoelectric thin films for near-room temperature applications

著者 (12件)： Zhou Kexiong (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Zhou Kexiong (CAS Key Laboratory of Materials for Energy Conversion, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, China) ,  Zhou Kexiong (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Chen Jikun (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Xueyuan Road 30, Haidian District, Beijing 100083, China) ,  Zheng RenKui (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Ke Xinyou (John A. Paulson School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University, Cambridge, MA 02138, USA) ,  Zhang Tiansong (CAS Key Laboratory of Materials for Energy Conversion, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, China) ,  Shi Xun (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Shi Xun (CAS Key Laboratory of Materials for Energy Conversion, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, China) ,  Chen Lidong (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Chen Lidong (CAS Key Laboratory of Materials for Energy Conversion, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, China) ,  Chen Lidong (Shanghai Institute of Materials Genome, Shanghai 200444, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 42  号： 10  ページ： 12490-12495  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 100°Cの比較的低い温度で(La, Sr)(Al, Ta)O_3あるいはガラス基板上にAg_2Se熱電薄膜の非エピタキシャル成長を,パルスレーザ蒸着(PLD)を用いて達成した。堆積速度はレーザ誘起プラズマプルームとバックグラウンド相互作用を変化させることにより最適化した。衝撃波プラズマ膨張は構造,組成および薄膜の形態に重要であることである。最適堆積条件下で成長したAg_2Se薄膜は類似のキャリア濃度で報告されたAg_2Seバルク材料に比べて同等の輸送性能を示した。Ag_2Se薄膜とその基板間の非エピタキシャル相関は室温応用のための計画の熱電マイクロデバイスの作製に役立つことが期待される。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 衝撃波 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  プラズマ膨張 ,  相互作用 ,  *薄膜 ,  キャリア密度 ,  堆積速度 ,  最適化 ,  *エピタクシー
準シソーラス用語： マイクロデバイス ,  プラズマプルーム ,  レーザ誘起 ,  ガラス基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 熱電 ,  Ag_2Se ,  薄膜成長 ,  パルスレーザ蒸着

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 室温 ,  応用 ,  薄膜 ,  エピタクシー ,  パルスレーザ蒸着