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J-GLOBAL ID：201702215047312443   整理番号：17A0024045

従来のシリコン・オン・インシュレータ基盤における狭帯域フォトニックRFフィルタのための浅いリッジ導波路マイクロリング共振器【Powered by NICT】

Ultra-shallow ridge waveguide microring resonators for narrow band photonic RF filters in conventional silicon-on-insulator platforms

著者 (5件)： Ehrlichman Yossef (Dept. of Electrical, Computer, and Energy Engineering, University of Colorado Boulder, Boulder, CO 80309, USA) ,  Gentry Cale M. (Dept. of Electrical, Computer, and Energy Engineering, University of Colorado Boulder, Boulder, CO 80309, USA) ,  Wade Mark (Dept. of Electrical, Computer, and Energy Engineering, University of Colorado Boulder, Boulder, CO 80309, USA) ,  Bojko Richard (Department of Electrical Engineering, University of Washington, Seattle, WA 98185, USA) ,  Popovic Milos A. (Dept. of Electrical and Computer Engineering, Boston University, Boston, MA 02115, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： MWP  ページ： 95-97  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 250nm厚SOIデバイス層における高Qのシリコンマイクロリング共振器を形成するために,従来のシリコンフォトニクスプラットフォームにおけるRFフォトニック信号処理のための狭帯域フィルタを可能にする超浅部分エッチの使用を検討した。250nmデバイス層の25nmの浅さの深いエッチングをもつ導波路により形成されたコンパクトなリング共振器を実証し,減少したエッチ深さと作製限られた固有Qの著しい改善を示した。エッチ深さ45nmで700Kの高い損失Qのリングを実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *リング共振器 ,  *狭帯域 ,  *ケイ素 ,  エッチング ,  *フィルタ ,  信号処理 ,  *導波路 ,  *リッジ導波管
準シソーラス用語： 狭帯域フィルタ ,  *マイクロリング共振器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン・オン・インシュレータ ,  基盤 ,  狭帯域 ,  RF ,  リッジ導波路 ,  マイクロリング共振器