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J-GLOBAL ID：201702215173126317   整理番号：17A0759434

電荷捕獲層として使用される配位子removed半導体コロイドナノドットの単分子層を用いたペンタセンメモリトランジスタ【Powered by NICT】

Pentacene memory transistors with a monolayer of ligand-removed semiconductor colloidal nanodots used as a charge-trapping layer

著者 (3件)： Nakano Fumihoru (Department of Applied Physics, Wakayama University, 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, Japan) ,  Uno Kazuyuki (Department of Applied Physics, Wakayama University, 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, Japan) ,  Tanaka Ichiro (Department of Applied Physics, Wakayama University, 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201600545  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： のフローティングゲートまたは電荷捕獲層はPbSコロイドナノドット(NDs)の単分子層からなり,それらの書込みと保持特性を調べたペンタセンメモリトランジスタを作製した。配位子分子(オレイン酸)が除去された時ペンタセンメモリトランジスタの書き込みと保持時間の両方は有意に減少した。も書込み時間はさらに減少し,保持時間は,伝導バンドにおける量子化されたエネルギー準位は低かった,すなわち,最高被占分子軌道(HOMO)に近く,ペンタセンの最低非占有分子軌道(LUMO)から遠い大きいNDを用いて拡張したことを見出した。これらの結果は,正の書き込み電圧を制御ゲートに適用した後の記憶効果はNDにトラップされた電子に起因することをモデルで説明し,NDにおける量子化されたエネルギー準位と有機分子のHOMO/LUMOレベルのより適切な配置はメモリトランジスタの特性を改善することを示唆した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： LUMO ,  保持時間 ,  *トランジスタ ,  HOMO ,  フローティングゲート ,  伝導バンド ,  記憶効果 ,  量子化 ,  *半導体 ,  分子軌道 ,  有機化合物 ,  エネルギー準位 ,  *単分子層 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： *電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： コロイドナノドット ,  フローティングゲート ,  配位子 ,  記憶 ,  ペンタセン ,  トランジスタ

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： 電荷捕獲 ,  配位子 ,  コロイド ,  ナノドット ,  単分子層