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J-GLOBAL ID:201702215196694910   整理番号:17A0205999

欠陥工学によるオニオン状合金ナノ結晶の界面に誘起された形成【Powered by NICT】

Interface-induced formation of onion-like alloy nanocrystals by defects engineering
著者 (12件):
資料名:
巻:号:ページ: 584-592  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2652A  ISSN: 1998-0124  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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欠陥の制御された導入,特にPtナノ結晶(NC)における双晶欠陥する能力は,Pt系ナノ触媒の性能を制御する可能性を提供する。しかし,双晶構造に存在する高い内部歪エネルギーのために,Pt NCにおける欠陥の製作が十分に挑戦的である。ヘキサデシルアミン/水界面で集合したPt-Cuナノ粒子上での正確な制御を提供する,高密度双晶欠陥を曝露したオニオン状Pt-NCを与えることを「低温interfaceinduced集合」手法を実証した。さらに,収差補正走査透過型電子顕微鏡解析に基づく双晶欠陥と格子膨張(収縮)の出現を明らかにするために提案した曲げ機構。metalbased合金NCにおける技術者欠陥への新しいルートを開く,触媒作用におけるより多くの機会を可能にした。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  塩  ,  半導体の格子欠陥 

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