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J-GLOBAL ID：201702215281767368   整理番号：17A0214207

4H-SiC nMOSFETのしきい値以下のドレイン電流掃引ヒステリシスについて【Powered by NICT】

On the subthreshold drain current sweep hysteresis of 4H-SiC nMOSFETs

著者 (4件)： Rescher Gerald ,  Pobegen Gregor ,  Aichinger Thomas ,  Grasser Tibor
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 10.8.1-10.8.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H炭化けい素Si面(0001),a面(1120)nチャネルパワーMOSFETから蓄積反転と逆にゲート電圧掃引の間のサブ閾値ドレイン電流ヒステリシスを研究した。ゲート電圧掃引方向に依存して,MOSFETは,同じゲート電圧で異なるサブ閾値ドレイン電流を示した。アップスイープと下方掃引間の観察されたヒステリシスは,サブしきい値電圧シフトとして表すことができ,数ボルトに達する可能性がある。電圧シフトは蓄積中の境界トラップの正孔捕獲に起因し,電荷ポンピング信号に直接比例することを示した。電圧シフトは,しきい値電圧以上でゲートバイアスを印加することにより完全に回復可能で,素子信頼性に影響しなかった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧変動 ,  炭化ケイ素 ,  正孔 ,  *MOSFET ,  *ヒステリシス
準シソーラス用語： ゲートバイアス ,  閾値電圧 ,  チャージポンプ回路 ,  閾値電圧シフト ,  サブ閾値 ,  ゲート電圧 ,  パワーMOSFET ,  *ドレイン電流 ,  *nMOSFET ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  nMOSFET ,  しきい値 ,  ドレイン電流 ,  掃引 ,  ヒステリシス