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J-GLOBAL ID：201702215309253118   整理番号：17A0406989

ZnFe_2O_4ベースデバイスにおける抵抗スイッチングメモリ挙動に及ぼす支援導電性フィラメントCuイオンの影響【Powered by NICT】

Effect of Cu ions assisted conductive filament on resistive switching memory behaviors in ZnFe₂O₄-based devices

著者 (9件)： Sun Bai (School of Physical Science and Technology, Southwest Jiaotong University, Chengdu, Sichuan 610031, China) ,  Zhang Xin (Key Laboratory of Magnetic Levitation Technologies and Maglev Trains, Ministry of Education of China, Superconductivity and New Energy R&D Center, Southwest Jiaotong University, Chengdu, Sichuan 610031, China) ,  Zhang Xin (Institute of Fusion Science, School of Physical Science and Technology, Southwest Jiaotong University, Chengdu, Sichuan 610031, China) ,  Zhou Guangdong (Institute for Clean Energy & Advanced Materials (ICEAM), Southwest University, Chongqing 400715, China) ,  Zhang Chunming (College of Electrical Engineering, Longdong University, Qingyang, Gansu 745000, China) ,  Li Pingyuan (Key Laboratory of Magnetic Levitation Technologies and Maglev Trains, Ministry of Education of China, Superconductivity and New Energy R&D Center, Southwest Jiaotong University, Chengdu, Sichuan 610031, China) ,  Xia Yudong (School of Physical Science and Technology, Southwest Jiaotong University, Chengdu, Sichuan 610031, China) ,  Zhao Yong (School of Physical Science and Technology, Southwest Jiaotong University, Chengdu, Sichuan 610031, China) ,  Zhao Yong (Key Laboratory of Magnetic Levitation Technologies and Maglev Trains, Ministry of Education of China, Superconductivity and New Energy R&D Center, Southwest Jiaotong University, Chengdu, Sichuan 610031, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 694  ページ： 464-470  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)は,現在のメモリ技術における最も有望な不揮発性メモリとして開発してきた。本研究では,ZnFe_2O_4(ZFO)ナノ粉末を最初に共沈法支援水熱過程により調製した。さらに,シリコン(Si)基板上に成長させたAg/CuドープZnFe_2O_4(CZFO)/Au/Si及びAg/ZFO/Au/Si構造をもつ抵抗スイッチングメモリ素子を,高周波マグネトロンスパッタリングにより調製し,それらの記憶挙動を比較調査した。Cuドーピングは明らかにバイポーラ抵抗スイッチングメモリ特性に影響する観察された。CZFO層内のCuイオン支援導電性フィラメントの形成と破壊に関するモデルを記憶挙動の変化を説明することが示唆された。これらの研究は多機能材料のメモリ応用を探索するための基礎を提供し,さらにそれらの不揮発性メモリ挙動を調節する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 共沈 ,  *銅 ,  *記憶装置 ,  ドーピング ,  イオン ,  不揮発性メモリ
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  多機能 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  ナノ粉末 ,  ReRAM ,  *導電性フィラメント ,  *抵抗スイッチングメモリ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Cuイオン ,  記憶装置 ,  導電性フィラメント ,  抵抗スイッチング ,  ZnFe_2O_4

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 抵抗スイッチングメモリ ,  挙動 ,  支援 ,  導電性フィラメント ,  Cuイオン