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J-GLOBAL ID：201702215492576817   整理番号：17A0095289

エピタキシャル成長用INP単結晶洗浄技術【JST・京大機械翻訳】

Cleaning Methods of InP Wafers for Epi-Growth

著者 (5件)： Wu Yongchao (The 46th Research Institute, CETC) ,  Lin Jian (The 46th Research Institute, CETC) ,  Liu Chunxiang (The 46th Research Institute, CETC) ,  Wang Yunbiao (The 46th Research Institute, CETC) ,  Zhao Quan (The 46th Research Institute, CETC)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 41  号： 8  ページ： 620-624  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： INPの洗浄機構に従って,三つの群の洗浄実験を行い,原子間力顕微鏡(AFM),表面分析器およびX線光電子分光法(XPS)を用いて,ウエハの化学組成,表面粗さおよび均一性を特性評価した。最終的に,酸化-酸ストリッピングによるINPの洗浄プロセスを決定し,そして,洗浄プロセスにおけるウエハ表面の熱的性質の変化を研究した。その結果,洗浄後のINPの表面粗さは0.12NMに達し,それは海外のINP(0.15~0.17NM)よりも優れていた。XPS試験の結果,ウエハ表面に富Yin層が形成され,富Yin層がINPの表面化学的活性を低下させ,表面安定化をもたらし,エピタキシャル成長品質を向上させることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱特性 ,  *エピタクシー ,  化学組成 ,  界面化学 ,  原子間力顕微鏡 ,  キャラクタリゼーション ,  品質 ,  表面分析 ,  酸化 ,  *単結晶 ,  X線光電子分光法

著者キーワード (5件)： InP single crystal substrate ,  surface haze value ,  surface roughness ,  atomic force microscopy (AFM) ,  X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)

分類 (2件)： 固-気界面一般  (CB12041H) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル成長 ,  InP ,  単結晶 ,  洗浄