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J-GLOBAL ID：201702215528436319   整理番号：17A0037672

酸化亜鉛スズ(ZnSnO:ZTO)薄膜トランジスタ特性に及ぼす水素の影響

著者 (8件)： 竹之内良太 (高知工科大) ,  戸田達也 (高知工科大) ,  石井林太郎 (三井金属) ,  高橋広己 (三井金属) ,  WANG Dapeng (高知工科大) ,  WANG Dapeng (高知工大 総研) ,  古田守 (高知工科大) ,  古田守 (高知工大 総研)
資料名： 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集
巻： 2015  ページ： 118  発行年： 2015年08月01日 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *スズ化合物 ,  *酸化亜鉛 ,  *薄膜トランジスタ ,  水素 ,  プラズマCVD ,  電圧 ,  電圧変動 ,  *酸化亜鉛スズ ,  閾値電圧
準シソーラス用語： TFT【トランジスタ】 ,  PECVD ,  閾値電圧シフト

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化亜鉛スズ ,  薄膜トランジスタ ,  水素