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J-GLOBAL ID:201702215602532770   整理番号:17A0661138

Au@Cu_2Oナノロッドにおける異方性ギャップ開環によるプラズモンモード【Powered by NICT】

Plasmon Modes Induced by Anisotropic Gap Opening in Au@Cu2O Nanorods
著者 (10件):
資料名:
巻: 12  号: 31  ページ: 4264-4276  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2348A  ISSN: 1613-6810  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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ヘテロナノ構造を形成するために貴金属をもつ半導体の統合は,多くの興味深いプラズモンおよび電子的性質を生じさせることができる。多くヘテロナノ構造の貴金属とn型半導体を含む報告されているが,TiO_2,ZnO,SnO_2,Fe_3O_4およびCuOである。対照的に,貴金属とp型半導体から作られたヘテロナノ構造に関する報告は少ない。Cu_2Oはユニークな特性を持つ意図しないp型半導体である。ここでは,二種類のAuナノロッドの,得られたコア-シェルヘテロナノ構造のプラズモン特性の系統的な研究にCu_2Oの均一な被覆を報告した。Auナノロッドの1タイプはシード媒介成長によって調製され,もう一つは調製したままのAuナノロッドの酸化により得られた。調製されたままのナノロッドから作製した(Auナノロッド)@Cu_2Oナノ構造は二横プラズモンピークを示したが,酸化されたナノロッドから得られた値は,ただ一つの横プラズモンピークを示した。電気力学シミュレーションによる付加的横方向プラズモンピークは,作製したままのナノロッドの側に形成された不連続ギャップから生じることが分かった。ギャップの存在を検証し,その形成機構を,追加実験で解明した。結果は,望ましいプラズモン特性を有する金属-半導体ヘテロナノ構造を設計するための,光触媒,太陽エネルギー収穫,及びバイオテクノロジーにおけるプラズモン増強応用を探索するためのも有用であろう。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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光化学反応  ,  固体プラズマ 
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