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J-GLOBAL ID:201702215735342395   整理番号:17A0445257

HfCナノワイヤを伴う高アスペクト比HfCナノベルト:合成,キャラクタリゼーションおよび電界放出特性【Powered by NICT】

High-aspect-ratio HfC nanobelts accompanied by HfC nanowires: Synthesis, characterization and field emission properties
著者 (7件):
資料名:
巻: 402  ページ: 344-351  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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重要な耐火性炭化物,炭化ハフニウム(HfC)は,構造材料として一般的に使用される真空マイクロエレクトロニクスの分野でHfCの電界放出(FE)の応用は,機能性材料を目的とした唯一のものであるた。その優れた物理的および化学的特性に基づいて,HfCは高性能電界エミッタにおける将来の応用のための満足な機械的性質と長期及び/又は高温FE安定性を有する可能性のある候補として同定した。しかし,大規模低次元HfC場ナノエミッタを作製するための容易でないので様々なFE応用におけるHfCの開発が妨げられている。HfCナノワイヤを伴う高アスペクト比HfCナノベルトは伝統的および簡単な触媒化学蒸着(CVD)法によって大規模に合成した。古典的蒸気-液体-固体(VLS)理論は軸方向に沿ってHfCナノワイヤとナノベルトの成長を説明するために採用した。薄いHfO_2シェルと薄いC層は周囲のナノ構造は,HfCナノワイヤの直径変動と横方向のHfCナノベルトの幅増大を生じさせる可能性がある。電界放出結果は,ナノワイヤを伴う高アスペクト比HfCナノベルトは有望な分野ナノエミッタ,~1.5Vμm~ 1のかなり低いターンオン電界と~10%以下の低電流ゆらぎを持つ優れた電界放出特性を示すことを示した。これは高アスペクト比ナノ構造を持つHfCセラミックスを種々の電界放出応用のための理想的なカソード材料であることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (7件):
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熱電子放出,電界放出  ,  酸化物の結晶成長  ,  炭素とその化合物  ,  酸化物結晶の磁性  ,  酸化物薄膜  ,  半導体薄膜  ,  その他の無触媒反応 

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