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J-GLOBAL ID:201702215893437851   整理番号:17A0661457

数層遷移金属二カルコゲン化物のための自己組織化ブロック共重合体からの表面遮蔽ナノ構造誘導された信頼性のあるプラズマドーピングを可能にする【Powered by NICT】

Surface-Shielding Nanostructures Derived from Self-Assembled Block Copolymers Enable Reliable Plasma Doping for Few-Layer Transition Metal Dichalcogenides
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資料名:
巻: 26  号: 31  ページ: 5631-5640  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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2d遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)の電気的および光学的性質の正確な調節は,高性能デバイスへの応用に必要である。従来のプラズマドーピング法は,バルクあるいは比較的厚いTMDのための優れた可制御性と再現性を提供したが,超薄数層TMDのためのプラズマドーピングの応用は,それらの特性の深刻な劣化によって妨げられている。プラズマドーピングプロセス中の表面遮蔽ナノ構造を用いて数層の顎関節症の報告は信頼性があり普遍的ドーピングルート。Si含有ブロック共重合体のサブ20nm自己集合から得られた表面保護酸化ポリジメチルシロキサンナノ構造は2D TMDの完全性を維持し,高い移動度を維持できるドーピングレベルにわたって広汎性制御を与えることを示した。例えば,自己組織化ナノ構造は数層MoS_2に及ぼす変調プラズマドーピングを実現する,キャリア移動度を損なうことなく,余分な硫黄空格子点の局所的発生による数層MoS_2のn-ドーピングレベルを制御する1.9×10~11cm~ 2から8.1×10~11cm~ 2への周期的に配置されたプラズマブロッキングとプラズマ受容ナノスケール領域を形成した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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セラミック・陶磁器の製造 

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