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J-GLOBAL ID：201702216025746971   整理番号：17A0343859

2状態レーザ発振量子ドットレーザの遷移領域における大信号変調特性【Powered by NICT】

Large Signal Modulation Characteristics in the Transition Regime for Two-State Lasing Quantum Dot Lasers

著者 (7件)： Lv Zunren (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Ji Haiming (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Yang Xiaoguang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Luo Shuai (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Gao Feng (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Xu Feng (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Yang Tao (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 12  ページ： 124204-1-124204-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 重要な性能指標として,大信号変調能力が関与する高速光通信技術に直接関係している。InAs/GaAs量子ドットレーザダイオードにおける同時基底状態(GS)及び励起状態(ES)レーザ発振の大信号変調特性を実験と理論により調べた。GSレーザ発振二状態レーザ発振への遷移領域における全光強度の大信号変調能力は,バイアス電流が増加すると変化しない。しかし,GS及びES大信号アイダイヤグラムは遷移中に著明な変化を示した。GS,ES,および全光強度の緩和振動と大信号アイダイヤグラムはレート方程式モデルを用いて詳細にシミュレートし,数値的に解析した。所見はGSとESレーザ発振のための光強度の間の相補的関係は遷移領域と二状態レーザ発振領域の両方に存在する,はるかに小さいオーバーシュート出力と全光強度に対する短い沈降時間をもたらすことを示した。,バイアス電流は遷移領域で増加するとGSまたはESレーザ発振のアイダイヤグラムは拡散全光強度のそれは一定であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： オーバシュート ,  基底状態 ,  ヒ化ガリウム ,  *レーザ発振 ,  高速度 ,  弛張発振 ,  *量子ドット ,  *量子ドットレーザ ,  光通信 ,  レート方程式 ,  半導体レーザ ,  ヒ化インジウム
準シソーラス用語： *大信号 ,  バイアス電流 ,  光強度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： レーザ発振 ,  量子ドットレーザ ,  遷移領域 ,  信号変調