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J-GLOBAL ID：201702216178673065   整理番号：17A0851391

isobutylgermaneを用いたMOCVDによるGaAs(001)基板上に成長させた高効率エピタキシャルGe太陽電池【Powered by NICT】

Highly efficient epitaxial Ge solar cells grown on GaAs (001) substrates by MOCVD using isobutylgermane

著者 (9件)： Kim Youngjo (Department of Electrical and Computer Engineering, Ajou University, Suwon 16499, South Korea) ,  Kim Youngjo (Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon 16229, South Korea) ,  Kim Kangho (Department of Electrical and Computer Engineering, Ajou University, Suwon 16499, South Korea) ,  Kim Kangho (Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon 16229, South Korea) ,  Kim Chang Zoo (Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon 16229, South Korea) ,  Jung Sang Hyun (Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon 16229, South Korea) ,  Kang Ho Kwan (Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon 16229, South Korea) ,  Park Won-Kyu (Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon 16229, South Korea) ,  Lee Jaejin (Department of Electrical and Computer Engineering, Ajou University, Suwon 16499, South Korea)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 166  ページ： 127-131  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一接合Ge太陽電池はエピタキシャルisobutylgermaneを用いた低圧有機金属化学蒸着によりGaAs(001)基板上に成長させた。色々な成長条件が,p型Geエピタキシャル層の1×10~19cm以上~ 3の高いドーピングレベル,少数キャリア収集効率に有害なを低減するために研究した。成長速度を増加させ,不連続ドーピング法を用いることにより,エピタキシャルGe層のp型ドーピングレベルは2×10~18cm~ 3に低下し,正孔移動度は44から162cm~/Vsに増加した。6.72%の高い電力変換効率は,p型Geベース領域における低下したドーピングレベルをもつエピタキシャルGe太陽電池がAM1.5G照射下で達成することができた。5μm厚ベース層をもつエピタキシャルGe太陽電池のスペクトル応答はInGaP/GaAs/Ge三重接合太陽電池に使用するために充分に良好であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 成長速度 ,  *ゲルマニウム ,  *MOCVD ,  不連続性 ,  *太陽電池 ,  *ヒ化ガリウム ,  少数キャリア ,  *エピタクシー
準シソーラス用語： InGaP ,  スペクトル応答 ,  電力変換効率 ,  正孔移動度 ,  p型ドーピング ,  エピタキシャル層 ,  *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ゲルマニウム ,  太陽電池 ,  MOCVD ,  エピタキシャル成長 ,  Isobutylgermane ,  不連続ドーピング

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： MOCVD ,  GaAs ,  成長 ,  高効率 ,  エピタキシャル ,  Ge ,  太陽電池