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J-GLOBAL ID:201702216216003143   整理番号:17A0165276

ガス流量がTYUT型MPCVD装置の大面積ダイヤモンド膜への影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Gas Flow Rates on the Large Area Diamond Films Deposited by TYUT-type MPCVD Equipment
著者 (8件):
資料名:
巻: 45  号: 10  ページ: 2359-2363  発行年: 2016年 
JST資料番号: W0398A  ISSN: 1000-985X  CODEN: RJXUEN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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周波数2.45GHZのTYUT型MPCVD装置を用い,H_2とCH_4をガス源とし,出力8KW,基板温度1000°C,ガス流量100~800SCCMの条件下で,実験を行った。直径65MMの大面積ダイヤモンド膜の堆積実験を行った。ダイヤモンド膜の表面形態,配向,厚さ,および品質を,走査型電子顕微鏡,X線回折,デジタル回折計,およびRAMAN分光法によって特性評価した。実験結果により,ガス流量の変化は,ダイヤモンド膜の結晶粒度,結晶配向,堆積速度,厚さ均一性および品質に大きな影響を及ぼした。ガス流量が300~600SCCMの範囲内で調製したダイヤモンド膜は,結晶粒度の均一性,表面欠陥の少なさ,および高品質の利点を持っている。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (4件):
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