単相電着と低温RTPアニーリングを用いて調製した高度に結晶化したCIS層の物理的性質【Powered by NICT】

Saidi H.; Boujmil M.F.; Durand B.; Bouaiecha M.

文献

J-GLOBAL ID：201702216336283972 整理番号：17A0407195

単相電着と低温RTPアニーリングを用いて調製した高度に結晶化したCIS層の物理的性質【Powered by NICT】

Physical properties of highly crystalline CIS layer prepared using single phase electrodeposition and low temperature RTP annealing

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資料名：
巻： 695 ページ： 779-786 発行年： 2017年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

CuInSe_2ナノ粒子(CIS NP)電着と高速熱処理(RTP)によりITO被覆ガラス基板上に合成した。堆積したままの膜は,短いアニーリング時間中のRTPを用いた250°C,350°C及び450°Cでアルゴン雰囲気下でアニールした。後者はCIS膜中のSe含有量のさらなる喪失を避けるために実用的である。アニーリング温度の効果を解析するために,構造的,形態的,光学的および電気的性質をそれぞれX線回折,走査電子顕微鏡,UV-可視分光法およびMott-Schottkyプロットを用いて検討した。XRDの結果は,調製した膜は(112)方向に沿って優先配向した正方晶黄銅鉱CISを持つことを示した。良好な結晶性をもつCIS NPの相形成が,低いアニーリング温度で観察された。光吸収研究を250~°Cで約1.02eVの直接バンドギャップを示した。屈折率n(λ)と吸光係数k(λ)のような光学定数を適切な光学モデルを用いて推定した。精巧な半導体,そのフラットバンド電位と自由キャリア濃度のドーピングタイプを決定するために,Mott-Schottkyプロットを用いた。RTPプロセスを用いた短い焼なまし持続時間によって電着したCIS膜をアニールするために新しい試みは,太陽電池への応用のための多結晶CIS膜を合成するために有用な方法であることが証明された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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ダイオード , 半導体-金属接触 , 太陽電池

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