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J-GLOBAL ID：201702216384660778   整理番号：17A0062103

安定非揮発性有機トランジスタメモリデバイスのための高分子エレクトレットとしてのふっ素化p-n型コポリフルオレン【Powered by NICT】

Fluorinated p-n Type Copolyfluorene as Polymer Electret for Stable Nonvolatile Organic Transistor Memory Device

著者 (9件)： Liu Bin (Centre for Molecular Systems and Organic Devices, Institute of Advanced Materials, Nanjing University of Posts & Telecommunications) ,  Bao Yan (Centre for Molecular Systems and Organic Devices, Institute of Advanced Materials, Nanjing University of Posts & Telecommunications) ,  Ling Haifeng (Centre for Molecular Systems and Organic Devices, Institute of Advanced Materials, Nanjing University of Posts & Telecommunications) ,  Zhu Wensai (Key Laboratory of Flexible Electronics & Institute of Advanced Materials, Nanjing Tech University) ,  Gong Ruijun (Centre for Molecular Systems and Organic Devices, Institute of Advanced Materials, Nanjing University of Posts & Telecommunications) ,  Lin Jinyi (Key Laboratory of Flexible Electronics & Institute of Advanced Materials, Nanjing Tech University) ,  Xie Linghai (Centre for Molecular Systems and Organic Devices, Institute of Advanced Materials, Nanjing University of Posts & Telecommunications) ,  Yi Mingdong (Centre for Molecular Systems and Organic Devices, Institute of Advanced Materials, Nanjing University of Posts & Telecommunications) ,  Huang Wei (Centre for Molecular Systems and Organic Devices, Institute of Advanced Materials, Nanjing University of Posts & Telecommunications)
資料名： Chinese Journal of Polymer Science  (Chinese Journal of Polymer Science)
巻： 34  号： 10  ページ： 1183-1195  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2566A  ISSN： 0256-7679  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ポリ[(4-(オクチルオキシ)-9,9-ジフェニルフルオレン-2,7-ジイル)-alt-(2,3,5,6-テトラフルオロ-1,4-フェニレン)](PODPF TFP)と名付けた,ふっ素化copolyfluoreneの容易なパラジウムベース直接芳香族化により合成した。非フッ素化対応物,ポリ[(4-(オクチルオキシ)-9,9-ジフェニルフルオレン-2,7-ジイル)-alt-(p-フェニレン)](PODPF P)と比較して,立体障害効果と組み合わせたより深いHOMO/LUMOエネルギー準位は優れたスペクトルと形態安定性を有するPODPF TFPを与えた。最後に,有機電界効果トランジスタ(OFET)メモリ素子は,誘電体層としてPODPF P/PODPFTFPを作製し,それらの両方はフラッシュ型貯蔵特性を示した。フッ素原子の電気陰性度のために,PODPF TFPをベースにしたデバイスは良好なエージング安定性として10~4sの保持時間中の大きなメモリウィンドウとより安定なI()/I(オフ)比を示した。本研究では,ふっ素化p-n copolyfluoreneエレクトレットは電荷捕獲と貯蔵の能力,OFETメモリーデバイスのための有望なを高める可能性があることを示唆した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *エレクトレット ,  電気陰性度 ,  HOMO ,  *記憶装置 ,  記憶素子 ,  *フッ素化 ,  保持時間 ,  LUMO ,  芳香族化 ,  エネルギー準位 ,  フッ素 ,  立体障害 ,  *非揮発性
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： p-nコポリフルオレン ,  ふっ素原子 ,  直接芳香族化 ,  高分子誘電体 ,  トランジスタメモリ

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非揮発性 ,  有機トランジスタ ,  メモリデバイス ,  高分子 ,  エレクトレット ,  ふっ素化