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J-GLOBAL ID：201702216640075513   整理番号：17A0026050

MISコンタクトでのFermiレベルピニング緩和のモデリング:nおよびpMOSFET同時集積の考慮-パートI

Modeling of Fermi-Level Pinning Alleviation With MIS Contacts: n and pMOSFETs Cointegration Considerations-Part I

著者 (8件)： Borrel Julien (STMicroelectronics, Crolles, France) ,  Hutin Louis (University Grenoble Alpes, Grenoble, France) ,  Rozeau Olivier (University Grenoble Alpes, Grenoble, France) ,  Jaud Marie-Anne (University Grenoble Alpes, Grenoble, France) ,  Martinie Sebastien (University Grenoble Alpes, Grenoble, France) ,  Gregoire Magali (STMicroelectronics, Crolles, France) ,  Dubois Emmanuel (Centre National de la Recherche Scientifique, Institut d’E ́lectronique de Microe ́lectronique et de Nanotechnologie, Villeneuve d’Ascq, France) ,  Vinet Maud (University Grenoble Alpes, Grenoble, France)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 9  ページ： 3413-3418  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メタル/半導体界面で発生するFermiレベルピニング(FLP)を克服することを目指してn-Siとp-Siへのメタル-絶縁体-半導体(MIS)コンタクトがそれっぞれの最適化研究で通常扱われているが,その技術的互換性に対する特別な置換はまだない。本稿は,MISコンタクトの1D解析モデリングを使い,nおよびp型SiにたいするFLP緩和を完全に役立てるためには単一挿入/単一メタライゼーション法は考えられないことを示した。さらに,MISコンタクトでのコンタクト比抵抗の関連する与えられた数値は困難な問題になることを示し,たなぜならばそのI-V特性が非対称非線形だからである。るCopyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： ケイ素 ,  金属 ,  比率 ,  誘電体 ,  フォトニックバンドギャップ ,  *MOSFET ,  ドーピング ,  モデル ,  電気抵抗率 ,  *Fermi準位 ,  メタライゼーション ,  界面 ,  *MIS構造 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： Fermiレベル ,  シリコン ,  メタル ,  金属-半導体界面 ,  接触抵抗率 ,  伝導度 ,  電気比抵抗 ,  半導体素子モデル

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： MIS ,  コンタクト ,  Fermiレベルピニング ,  緩和 ,  モデリング ,  pMOSFET ,  集積 ,  パート