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J-GLOBAL ID：201702216771945488   整理番号：17A0385824

面内サイドゲートがあるInAs量子点接触のアスペクト比に対する0.5×(2e²/h)コンダクタンスプラトーの依存性

Dependence of the 0.5 × (2e²/h) conductance plateau on the aspect ratio of InAs quantum point contacts with in-plane side gates

著者 (9件)： Das P. P. (Department of Physics, National Institute of Technology Karnataka, Surathkal 575025, India) ,  Jones A. (Spintronics and Vacuum Nanoelectronics Laboratory, University of Cincinnati, Cincinnati, Ohio 45040, USA) ,  Cahay M. (Spintronics and Vacuum Nanoelectronics Laboratory, University of Cincinnati, Cincinnati, Ohio 45040, USA) ,  Kalita S. (Department of Electronics and Communication Engineering, Tezpur University, Napaam, Assam 784028, India) ,  Mal S. S. (Department of Chemistry, National Institute of Technology Karnataka, Surathkal 575025, India) ,  Sterin N. S. (Department of Physics, National Institute of Technology Karnataka, Surathkal 575025, India) ,  Yadunath T. R. (Department of Physics, National Institute of Technology Karnataka, Surathkal 575025, India) ,  Advaitha M. (Department of Physics, National Institute of Technology Karnataka, Surathkal 575025, India) ,  Herbert S. T. (Department of Physics, Xavier University, Cincinnati, Ohio 45207, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 8  ページ： 083901-083901-8  発行年： 2017年02月28日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 点接触 ,  *コンダクタンス ,  アスペクト比 ,  *ゲート【半導体】 ,  ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  電流 ,  e-e相互作用
準シソーラス用語： *コンダクタンスプラトー ,  *サイドゲート ,  スピン分極電流 ,  *量子コンダクタンス ,  *量子点接触

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： サイドゲート ,  InAs ,  量子点接触 ,  依存性