文献

J-GLOBAL ID：201702216795033230   整理番号：17A0027213

BiSbTeSe₂トポロジカル絶縁体ベースのスピンバルブトランジスタにおける独特な電流方向依存オン-オフ・スイッチング

Unique Current-Direction-Dependent ON-OFF Switching in BiSbTeSe₂ Topological Insulator-Based Spin Valve Transistors

著者 (13件)： Zhang Minhao (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Wang Xuefeng (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Zhang Shuai (Department of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Gao Yuan (Department of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Yu Zhihao (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Zhang Xiaoqian (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Gao Ming (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Song Fengqi (Department of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Du Jun (Department of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Wang Xinran (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  He Liang (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Xu Yongbing (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Zhang Rong (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 9  ページ： 1231-1233  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,向上した表面移動度(~4039cm²V^-1s^-1)のBiSbTeSe₂トポロジカル絶縁体(TI)に基づいてスピンバルブトランジスタを製作した。このスピンバルブトランジスタの出力は,磁界を掃引してNi₂₁Fe₇₉電極の磁化方向を変えた時,支配的な階段状の挙動を示した。最も重要なことに,オン(低抵抗)-オフ(高抵抗)状態は,直流電流の方向を逆転させた時でさえも切り替えできた。TIベースのスピンバルブトランジスタは,オン-オフ状態の電流方向依存スイッチングを可能にし,磁気センサおよびスピン論理回路への適用を可能とし,TIの革新的な電流駆動スピン生成器としての応用の可能性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *絶縁材料 ,  *磁気トランジスタ ,  方向 ,  パーマロイ ,  *スイッチング ,  電流 ,  磁場 ,  *絶縁体 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： Fe-Ni磁性合金 ,  *スピンバルブトランジスタ ,  磁化方向 ,  磁界

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  継電器・スイッチ  (NA05060K)

タイトルに関連する用語 (2件)： トポロジカル絶縁体 ,  スピンバルブトランジスタ