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J-GLOBAL ID：201702217179646449   整理番号：17A0661392

溶液マイクロモールディングによるナノ構造強誘電体メモリダイオードのダウンスケーリングと電荷輸送【Powered by NICT】

Downscaling and Charge Transport in Nanostructured Ferroelectric Memory Diodes Fabricated by Solution Micromolding

著者 (12件)： Lenz Thomas (Max Planck Institute for Polymer Research, Ackermannweg 10, 55128, Mainz, Germany) ,  Lenz Thomas (Graduate School Materials Science in Mainz, Staudinger Weg 9, 55128, Mainz, Germany) ,  Ghittorelli Matteo (Max Planck Institute for Polymer Research, Ackermannweg 10, 55128, Mainz, Germany) ,  Ghittorelli Matteo (Department of Information Engineering, University of Brescia, Via Branze 38, 25123, Brescia, Italy) ,  Benneckendorf Frank Simon (Max Planck Institute for Polymer Research, Ackermannweg 10, 55128, Mainz, Germany) ,  Asadi Kamal (Max Planck Institute for Polymer Research, Ackermannweg 10, 55128, Mainz, Germany) ,  Kasparek Christian (Max Planck Institute for Polymer Research, Ackermannweg 10, 55128, Mainz, Germany) ,  Glasser Gunnar (Max Planck Institute for Polymer Research, Ackermannweg 10, 55128, Mainz, Germany) ,  Blom Paul W. M. (Max Planck Institute for Polymer Research, Ackermannweg 10, 55128, Mainz, Germany) ,  Blom Paul W. M. (Graduate School Materials Science in Mainz, Staudinger Weg 9, 55128, Mainz, Germany) ,  Torricelli Fabrizio (Department of Information Engineering, University of Brescia, Via Branze 38, 25123, Brescia, Italy) ,  de Leeuw Dago M. (Max Planck Institute for Polymer Research, Ackermannweg 10, 55128, Mainz, Germany)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 28  ページ： 5111-5119  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機半導体への電荷注入は強誘電性高分子の漂遊電場によって制御される強誘電性高分子メモリダイオードは界面デバイスである。高電流密度と電流変調への鍵は,明確な界面の面密度である。,ソフトリソグラフィー法の解マイクロモールディングを用いて作製した双安定ダイオード。最初に,半導性高分子ポリ(9,9 ジオクチルフルオレン)は線形格子にパターン化した。続いて,強誘電性高分子ポリ(ビニリデンフルオリド-co-トリフルオロエチレン)による埋戻しによって得られる双線形アレイ。横方向の特徴サイズは2μmから500nmまでスケールダウンした。メモリダイオード10~3Am~ 2より大きい電流密度と整流性J-V特性と10~3を超えるオン/オフ電流比を示した。電荷輸送は2次元数値シミュレーションにより説明した。電場への分極の依存性を明示的に考慮したので,全J-V特性を定量的に記述することができた。シミュレーションは整流J-V特性は,パターン化された強誘電性高分子の凹形形状に本質的に関連していることを明らかにした。減少特徴サイズをもつ電流密度の指数関数的増加は,半導体の閉じ込めに起因することを示した。ダウンスケーリング,整流及び簡単な製造と組み合わせた高電流密度は高密度溶液処理メモリの低コスト統合のための新しい機会をもたらした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電場 ,  *ダイオード ,  キャリア注入 ,  二次元 ,  線形性 ,  界面 ,  強誘電性 ,  *ナノ構造 ,  パターン形成 ,  電流密度 ,  整流 ,  高分子 ,  有機半導体
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  *電荷輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 双安定ダイオード ,  電荷輸送 ,  数値シミュレーション ,  P(VDF TrFE) ,  スケーリング ,  記憶 ,  溶液マイクロモールディング

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 溶液 ,  マイクロモールディング ,  ナノ構造 ,  強誘電体メモリ ,  ダイオード ,  ダウンスケーリング ,  電荷輸送