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J-GLOBAL ID：201702217257156160   整理番号：17A0666309

プロセス変動に対する感度を含むスケール3ゲートInGaAs OIn-MOSFETのためのDIBL特性の理論的研究【Powered by NICT】

Theoretical Investigation of DIBL Characteristics for Scaled Tri-Gate InGaAs-OI n-MOSFETs Including Sensitivity to Process Variations

著者 (4件)： Wu Shu-Hua (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Yu Chien-Lin (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Yu Chang-Hung (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Su Pin (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 5  号： 1  ページ： 45-52  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,理論的計算で裏付け数値シミュレーションによりITRS2021技術ノードに基づくInGaAsチャネルを持つ高度にスケールされたトライゲートn-MOSFETの固有ドレイン誘起障壁低下(DIBL)特性を調べた。本論文では,III-V族FETにおける短チャネル効果を研究する場合に,量子閉込めを考慮しなければならない,あるいは予測は悲観的であることを示した。二次元量子閉込めに起因して,InGaAsトライゲートデバイスのDIBL(ドレイン誘起障壁低下)は有意に抑制され,Si対応物と同等であることができる。に加えて,高度にスケールされたInGaAsトライゲートNFET,DIBL(ドレイン誘起障壁低下)に及ぼす埋込み酸化物厚さの影響は小さいとなり,フィン幅とゲート長変動に対するDIBL感度も量子閉込め効果により抑制される。III-V高移動度チャネル材料を用いたトライゲート素子設計のための洞察を提供するであろう。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ケイ素 ,  短チャネル効果 ,  酸化物 ,  量子閉込め ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  フィン ,  チャネル ,  シミュレーション ,  二次元 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： 素子設計 ,  ゲート長 ,  トライゲート ,  数値シミュレーション ,  *DIBL ,  *プロセス変動 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (9件)： プロセス変動 ,  感度 ,  スケール ,  ゲート ,  InGaAs ,  MOSFET ,  DIBL ,  理論 ,  研究