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J-GLOBAL ID：201702217267527204   整理番号：17A0759293

強誘電体薄膜における分域壁の動力学に対するナノスケール欠陥工学とその影響【Powered by NICT】

Nanoscale Defect Engineering and the Resulting Effects on Domain Wall Dynamics in Ferroelectric Thin Films

著者 (7件)： McGilly Leo J. (Ceramics Laboratory, EPFL - Swiss Federal Institute of Technology, Lausanne, CH-1015, Switzerland) ,  Sandu Cosmin S. (Ceramics Laboratory, EPFL - Swiss Federal Institute of Technology, Lausanne, CH-1015, Switzerland) ,  Sandu Cosmin S. (3D-OXIDES, 130 Rue Gustave Eiffel, Saint Genis Pouilly, 01630, France) ,  Feigl Ludwig (Ceramics Laboratory, EPFL - Swiss Federal Institute of Technology, Lausanne, CH-1015, Switzerland) ,  Feigl Ludwig (Institute for Photon Science and Synchrotron Radiation, KIT - Karlsruhe Institute of Technology, Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, D-76344, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Damjanovic Dragan (Ceramics Laboratory, EPFL - Swiss Federal Institute of Technology, Lausanne, CH-1015, Switzerland) ,  Setter Nava (Ceramics Laboratory, EPFL - Swiss Federal Institute of Technology, Lausanne, CH-1015, Switzerland)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 27  号： 15  ページ： ROMBUNNO.201605196  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥工学は,現代のエレクトロニクス産業の基礎の一つである。ほとんど全ての電子デバイスは,イオン衝撃によってドープした材料を含んでいる。結晶度が必須である材料では,強誘電体のような欠陥のタイプと濃度は特性に影響を及ぼす非常にでき,デバイス性能を最適化するために使用することが多い。本研究では,集束イオンビーム顕微鏡によるPb(Zr,Ti)O_3の薄膜における欠陥サイトのナノスケールでの密度と位置を効果的に制御する方法を示す。を圧電応答力顕微鏡と透過型電子顕微鏡を用いた研究による核形成,分極スイッチング,及び分域壁相互作用における欠陥の役割の観察の例外的な明確性を可能にし,欠陥誘起効果には受け入れられているがほとんど実証された事実に洞察を加えた。ナノスケール欠陥工学は材料特性を制御するためのツールとして使用することができ,さらに,実用化に向けて実証した合成法。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーピング ,  透過型電子顕微鏡 ,  集束イオンビーム ,  電子技術 ,  チタン ,  結晶度 ,  核形成 ,  *薄膜 ,  *強誘電体 ,  分極反転 ,  イオン衝突
準シソーラス用語： 圧電応答力顕微鏡 ,  *ナノスケール ,  *分域境界 ,  *強誘電体薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 欠陥 ,  領域壁 ,  ferroelectrics ,  集束イオンビーム ,  薄膜

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 強誘電体薄膜 ,  分域壁 ,  動力学 ,  ナノスケール ,  欠陥 ,  工学