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J-GLOBAL ID：201702217473330302   整理番号：17A0375094

ハイブリッドZCISナノ結晶に基づく不揮発性メモリデバイスの電気的双安定性:PMMA膜【Powered by NICT】

Electrical bistable properties of nonvolatile memory device based on hybrid ZCIS NCs:PMMA film

著者 (6件)： Zhang Xuguang (Institute of Material Physics, Key Laboratory of Display Materials and Photoelectric Devices, Ministry of Education, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, People’s Republic of China) ,  Xu Jianping (Institute of Material Physics, Key Laboratory of Display Materials and Photoelectric Devices, Ministry of Education, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, People’s Republic of China) ,  Zhang Xiaosong (Institute of Material Physics, Key Laboratory of Display Materials and Photoelectric Devices, Ministry of Education, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, People’s Republic of China) ,  Shi Shaobo (School of Science, Tianjin University of Technology and Education, Tianjin 300222, People’s Republic of China) ,  Zhao Xiangguo (Institute of Material Physics, Key Laboratory of Display Materials and Photoelectric Devices, Ministry of Education, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, People’s Republic of China) ,  Li Lan (Institute of Material Physics, Key Laboratory of Display Materials and Photoelectric Devices, Ministry of Education, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, People’s Republic of China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 57  ページ： 105-109  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一回-多数回読出し(WORM)電気的双安定素子は活性層としてハイブリッド四元ZnCuInSナノ結晶(ZCIS NCs)とポリ(メタクリル酸メチル)(PMMA)を用いて作製した。1.0Vの低いターンオン電圧と4×10~3の最大オン/オフ電流比は電流-電圧(I V)特性から発見された。ONおよびOFF状態における電流安定性は測定期間10~4sで5%以下の変動損失であった。電子輸送と記憶機構はフィッティングしたI V曲線とエネルギーバンド図に基づいて記述した。0Vから 1.1Vまでオフ状態における伝導モデルは,熱電子放出(TE),空間電荷制限電流(SCLC),Fowler-Nordheim(FN)トンネリングとして記述した。またデバイスは,1.1V以上の電圧でON状態に移行したときオーミック伝導が支配的である四級Z CIS NCにおける高密度欠陥とZ CIS NCとPMMAの間の高い障壁は電子保持挙動に寄与すると考えられる。デバイス性能最適化のために,付加的なPMMA層がITO基板表面上に予め堆積した。ターンオン電圧で50%減少し,オン/オフ比50倍以上増強は0.877から0.216nmにITO表面の二乗平均平方根平均表面粗さ(RMS)の減少からよりよい膜品質と減少した直列抵抗に起因した。良好な保持容量はPMMA挿入層による濃縮したトンネル障壁に関係していると考えられている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 空間電荷制限電流 ,  *不揮発性メモリ ,  ポリメタクリル酸メチル ,  トンネル効果 ,  電流 ,  *双安定性 ,  活性層 ,  電圧 ,  熱電子放出 ,  *ナノ結晶
準シソーラス用語： 直列抵抗 ,  電子輸送 ,  ターンオン電圧 ,  WORM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 第四紀ZCIS NC ,  ナノ複合材料 ,  電気的に双安定メモリ素子 ,  書込一回読取多時間

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ結晶 ,  不揮発性メモリ ,  双安定性 ,  PMMA膜