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J-GLOBAL ID：201702217485928690   整理番号：17A0118208

シリコンマイクロジャイロスコープのための熱ドリフト最適化【Powered by NICT】

Thermal drift optimization for silicon microgyroscope

著者 (6件)： Zhou Jian (Institute of Mechanical and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, China, 210094) ,  Qiu An-ping (Institute of Mechanical and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, China, 210094) ,  Zhao Yang (Institute of Mechanical and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, China, 210094) ,  Xia Guo-ming (Institute of Mechanical and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, China, 210094) ,  Yu Xue-hao (The 803 Research Institute, Shanghai Aerospace Control Technology Institute, Shanghai, China, 201109) ,  Xue Zhong-hai (The 803 Research Institute, Shanghai Aerospace Control Technology Institute, Shanghai, China, 201109)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SENSORS  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,低温感度インターフェイス回路を有する低温度ドリフトZ軸シリコンジャイロスコープについて述べた。ジャイロスコープの温度ドリフトは二側面:MEMS構造とそのインタフェース回路設計から最適化した。零レート出力(ZRO)の発生源を解析し,次に復調相の安定性を改善する熱ドリフトを効果的に低減できることを指摘した。ウエハレベルパッケージとの注意深い設計したMEMS構造を導入し,新しいインタフェイス回路はジャイロスコープの位相安定性を改善するために提案する。新しく設計されたジャイロスコープを試験し,その帯域幅は±300°/sのフルスケールで100Hz以上であった。室温環境では,そのバイアス安定性(1a)は0.78°/hを達成し,温度係数全温度範囲( 40°C-60°C)6.4°/h/°Cであった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 帯域幅 ,  復調 ,  バイアス ,  *ジャイロスコープ ,  低温 ,  温度係数 ,  MEMS ,  位相 ,  *最適化
準シソーラス用語： ウエハレベルパッケージ ,  発生源 ,  温度ドリフト ,  インタフェイス回路 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  力学  (BA04000D)

タイトルに関連する用語 (2件)： 熱ドリフト ,  最適化