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J-GLOBAL ID:201702217488673932   整理番号:17A0353916

ケイ素ヘテロ接合太陽電池の不動態化に関する研究【JST・京大機械翻訳】

THE INVESTIGATION ON SURFACE PASSIVATION LAYERS USED FOR SILICON HETERO-JUNCTION SOLAR CELL
著者 (5件):
資料名:
巻: 37  号: 11  ページ: 2983-2987  発行年: 2016年 
JST資料番号: W0629A  ISSN: 0254-0096  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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シリコンベースヘテロ接合太陽電池の表面性能に及ぼす表面層の影響を研究した。1)非晶質シリコン層の固有層と比較した。H(I)と非晶質SI:H...C-SI界面の不動態化に及ぼすH(I)の影響,および電池性能に及ぼすそれらの影響を研究した。2)異なるAを研究する。電池性能に及ぼすH(I)厚さの影響を研究した。3)堆積速度は異なる。C-SI界面の不動態化効果と電池性能に及ぼすH(I)の影響を研究し,異なる堆積速度に対するAの影響を研究した。H(I)膜はH原子含量などの分析を行った。この征鈍化層プロセスの最適化により,156MM×156MM厚さ200ΜMのN型シリコンウエハ上に効率的に%%のシリコンベースヘテロ接合太陽電池を得て,100ΜM厚さのシリコンウエハ上に変換効率が20.44%の屈曲可能電池を得た。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
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太陽電池 
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