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J-GLOBAL ID:201702217535186333   整理番号:17A0067818

高密度SIC被覆は,化学蒸着によって調製され,形成された。【JST・京大機械翻訳】

Low temperature synthesis and formation mechanism of dense SiC coating layer by fluidized bed chemical vapor deposition
著者 (7件):
資料名:
巻: 33  号:ページ: 1777-1784  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2466A  ISSN: 1000-3851  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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一般的な高密度SIC材料の調製には,非常に高い温度が必要であるが,調製温度を下げることは,SIC調製分野における重要な研究方向である。厚さ数十ミクロンのSIC被覆を,流動層化学気相成長法によって,球状ジルコニアセラミック粒子上に調製した。異なる温度でのSIC被覆層の微細構造と微細構造の変化規則を研究することによって、堆積効率の変化規則を示し、低温生成物のSIが発見されたが、高温生成物は炭素に富むことが分かった。異なるAR含有量の実験研究によると、アルゴンの添加は堆積反応を炭素の方向へ移動させることができ、そのため、温度を著しく低下させる条件下で、緻密なSIC被覆層を調製できる。実験結果により,流動層化学蒸着法を用いて,異なる温度およびアルゴン濃度でSICを調製した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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炭素とその化合物  ,  非金属材料へのセラミック被覆 
タイトルに関連する用語 (3件):
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