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J-GLOBAL ID：201702217750044436   整理番号：17A0446177

LaドープBiFeO_3セラミックの電気的および非線形電流-電圧特性【Powered by NICT】

Electrical and nonlinear current-voltage characteristics of La-doped BiFeO₃ ceramics

著者 (5件)： Yotburut Benjaporn (School of Physics, Institute of Science, Suranaree University of Technology, Nakhon Ratchasima 30000 Thailand) ,  Thongbai Prasit (Department of Physics, Faculty of Science, Khon Kaen University, Khon Kaen 40002, Thailand) ,  Yamwong Teerapon (National Metals and Materials Technology Center (MTEC), Thailand Science Park, Pathumthani 12120, Thailand) ,  Maensiri Santi (School of Physics, Institute of Science, Suranaree University of Technology, Nakhon Ratchasima 30000 Thailand) ,  Maensiri Santi (SUT Center of Excellence on Advanced Functional Materials, Suranaree University of Technology, Nakhon Ratchasima 30000, Thailand)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 7  ページ： 5616-5627  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ~67 19nmの粒径を持つマルチフェロイックBi_1La_FeO_3(x=0~0,0.05,0.1,0.2,及び0.3)セラミックを,単純な共沈法によって調製した。微細構造,巨大誘電応答,及び電気特性に及ぼすLaドーパントの影響を調べた。Bi_1La_FeO_3セラミックの粒径はLaドーピングイオンの増加と共に有意に減少した。Bi_0 0.95La_0 0.05FeO_3セラミックは最も高い漏れ電流密度値を示した。興味深いことに,La濃度が増加するとそれは大きく減少した。LaをドープしたBFOの非線形係数はLaの増加と共にわずかに減少した。は空間電荷制限伝導機構,調べた全ての試料について,低電場領域に関与することを示した。La置換は絶縁破壊電界を有意に増強した。結晶粒界のポテンシャル障壁高さはLaイオンの置換により0.3から0.16eVにわずかに低下したことが分かった。インピーダンス分光分析,Bi_0 7La_0 3FeO_3セラミックを除いてを用いて,室温での粒界抵抗はdcバイアスの影響を受けたが,全ての試料の結晶粒抵抗はdcバイアスに依存しなかった。この結果はdcバイアスの効果に起因する低周波誘電定数と損失正接値の変動と良く一致した。これらの結果は,粒界での界面分極の存在に密接に関連した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 共沈 ,  誘電率 ,  ポテンシャル障壁 ,  *ランタン ,  *電流電圧特性 ,  バイアス ,  電場 ,  損失正接 ,  ドーパント ,  粒径 ,  結晶粒 ,  絶縁破壊 ,  *ドーピング ,  結晶粒界
準シソーラス用語： 誘電応答 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ビスマスフェライト ,  誘電定数 ,  誘電緩和 ,  非Ohm的挙動 ,  Schottky放出

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： La ,  ドープ ,  セラミック ,  非線形 ,  電圧特性