文献

J-GLOBAL ID：201702217980012688   整理番号：17A0547811

反応性コ・スパッタ法によるZn-In-O-N(ZION)の成膜

著者 (4件)： 原智彦 (青山学院大 理工) ,  JIA Junjun (青山学院大 理工) ,  中村新一 (青山学院大 理工) ,  重里有三 (青山学院大 理工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.14p-419-14  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 反応性スパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  *酸化亜鉛 ,  *窒化インジウム ,  *固溶体 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *スパッタリング ,  化学組成 ,  X線回折 ,  *結晶方位
準シソーラス用語： *共スパッタリング ,  結晶配向

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 反応性 ,  スパッタ法 ,  Zn ,  成膜