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J-GLOBAL ID：201702217989664851   整理番号：17A0702834

二重ヘテロ接合ナノロッド発光ダイオードの増強されたデバイス寿命【Powered by NICT】

Enhanced device lifetime of double-heterojunction nanorod light-emitting diodes

著者 (5件)： Cho Seong-Yong (Department of Materials Science and Engineering, Frederick Seitz Materials Research Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, Illinois 61801, USA. [e-mail]) ,  Oh Nuri ,  Nam Sooji ,  Jiang Yiran ,  Shim Moonsub
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 18  ページ： 6103-6110  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コロイド量子ドット(QD)は,発光ダイオード(LED)のための溶液処理可能な,高性能材料として出現している。故障メカニズム(s)は基礎的および実用的に重要であり,これらのQD-LEDsは失敗したかはほとんど知られていない。ここでは,二重ヘテロ接合ナノロッド-(DHNR)とこれらのQD-LEDsに対する加速された素子寿命測定を行った。初期駆動電圧に及ぼす素子寿命の一般的な依存性は,初期輝度の大きさ範囲の二桁以上にわたって観測された。挙動は発光材料を種々の条件下で調製したDHNRsまたはQDであるかどうかとは無関係であった。HTLドーピングによる正孔注入障壁を低減低電圧動作を可能にする,より長い素子寿命をもたらした。正孔注入障壁を低下させることをバンド構造をもつDHNRsは低い駆動電圧を必要とし,従ってコア/シェルQDより長いデバイス寿命をもたらした。1000Cd m~ 2では,DHNR LEDは連続操作の200時間以上後でも顕著な分解を示さなかった。一方,これらのQD-LEDsは同じ初期輝度条件下で~100時間以内で完全に分解した。エレクトロルミネセンスではなく光ルミネセンスを劣化させる,HTL劣化につながる正孔蓄積/捕獲は両DHNRとQD-LEDの劣化の主な原因であることが示唆された。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 捕獲 ,  エレクトロルミネセンス ,  輝度 ,  *ナノロッド ,  光ルミネセンス ,  *発光ダイオード ,  バンド構造 ,  正孔
準シソーラス用語： 低電圧 ,  正孔注入 ,  発光材料 ,  駆動電圧 ,  溶液処理 ,  コロイド量子ドット ,  *二重ヘテロ接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二重ヘテロ接合 ,  ナノロッド ,  発光ダイオード ,  増強 ,  寿命