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J-GLOBAL ID：201702218103808138   整理番号：17A0214239

Si,GeおよびIII/Vチャネルを用いたFinFETとGAA北西部における自己加熱【Powered by NICT】

Self-heating in FinFET and GAA-NW using Si, Ge and III/V channels

著者 (11件)： Bury E. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Kaczer B. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Linten D. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Witters L. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Mertens H. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Waldron N. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Zhou X. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Collaert N. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Horiguchi N. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Spessot A. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Groeseneken G. (Imec, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 15.6.1-15.6.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己加熱(SH)効果を実験的及びFFとGAA北西Siと高移動度デバイスのための工業的溶液の包括的集合上でのシミュレーションにより調べ,多重処理オプションである。将来技術におけるSHを管理するための考察を提供した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 多重処理 ,  *チャネル
準シソーラス用語： 高移動度 ,  *自己加熱 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Ge ,  チャネル ,  FinFET ,  自己加熱