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J-GLOBAL ID：201702218159321362   整理番号：17A0117937

ゲート酸化物厚さの影響とナノスケールテーパFinFETに及ぼすフィン高さおよびフィン幅のアスペクト比【Powered by NICT】

Impact of gate oxide thickness and aspect ratio of fin height and fin width on nanoscale tapered FinFETs

著者 (3件)： Kaur Navneet (ECE, IKGPTU, Jalandhar, Punjab, India) ,  Rattan Munish (Dept. of ECE, GNDEC, IKGPTU, Jalandhar, Punjab, India) ,  Gill Sandeep Singh (Dept. of ECE, GNDEC, IKGPTU, Jalandhar, Punjab, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： RTEICT  ページ： 1787-1791  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FinFETは短いチャネルのための従来のMOSFETよりも優れている代替と考えられている。多重側にゲートの存在下では性能向上に役立つ。本研究では,20nmゲート長のためのテーパFinFETの性能に対するゲート酸化膜厚(T_ox),フィン高さ(H_fin)のアスペクト比にフィン厚さ(W_fin)のような種々のプロセスパラメータの影響を調べた。FinFET構造は一定の境界条件の下でTCADで設計し,シミュレーションし,性能を電流,オフ電流,サブしきい値スイング(SS)とドレイン誘起障壁低下(DIBL)などの関連出力パラメータの観点から解析した。短チャネル効果はH_fin/W_fin≦3で改善されることが観察された。このアスペクト比に対して,I_on/I_off,SSとDIBLはそれぞれ1e06,64mV/dec,23.2mV/Vであった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 境界条件 ,  チャネル ,  MOSFET ,  *フィン ,  短チャネル効果 ,  プロセスパラメータ ,  *アスペクト比
準シソーラス用語： DIBL ,  サブ閾値 ,  オフ電流 ,  TCAD ,  ゲート酸化膜 ,  *テーパ ,  ゲート長 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート酸化物 ,  厚さ ,  FinFET ,  フィン ,  高さ ,  アスペクト比