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J-GLOBAL ID：201702218205143323   整理番号：17A0470933

層状MoS_2/グラフェンをドープしたSnSeの熱電性能の向上【Powered by NICT】

Enhanced thermoelectric performance of SnSe doped with layered MoS₂/graphene

著者 (4件)： Yang Shidan (Department of Physics, Zhejiang Normal University, Jinhua 321004, PR China) ,  Si Jianxiao (Department of Physics, Zhejiang Normal University, Jinhua 321004, PR China) ,  Su Qingmei (Department of Physics, Zhejiang Normal University, Jinhua 321004, PR China) ,  Wu Haifei (Department of Physics, Shaoxing University, Shaoxing 312000, PR China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 193  ページ： 146-149  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層状MoS_2/グラフェン(MoS_2/G)の添加によるp型SnSeの熱電特性の増強を報告した。高度に配向したSnSe+MoS_2/G(xwt%,0,0.2,0.4,0.8%,1.6%および3.2)複合材料を迅速な誘導融解とそれに続く急速ホットプレスにより合成した。MoS_2/Gの添加はSnSe+3.2wt%MoS_2/G試料の~4.68μWcm~-~1K~-~2元のSnSeの~1.83μWcm~-~1K~-~2から最大パワーファクタを高めることができることが分かった。層状MoS_2/Gは,粒界でのフォノン散乱が原因となった低い格子熱伝導率に寄与する。810KでSnSe+3.2wt%MoS_2/G試料で達成された0.98の最大ZT。著者らの結果は,SnSeの熱電性能を向上させるための可能な戦略を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶粒界 ,  *ドーピング ,  高速度 ,  ホットプレス ,  複合材料 ,  力率 ,  *グラフェン ,  誘導融解
準シソーラス用語： 格子熱伝導率 ,  フォノン散乱 ,  熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 熱電性能 ,  Nanocomposites ,  焼結 ,  セレン化すず

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 層状 ,  グラフェン ,  ドープ