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J-GLOBAL ID：201702218251195904   整理番号：17A0700821

単原子層MoS_2バンド間トンネル電界効果トランジスタ【Powered by NICT】

Atomic-Monolayer MoS2 Band-to-Band Tunneling Field-Effect Transistor
著者 (12件)：
Lan Yann-Wen

Lan Yann-Wen について

(National Nano Device Laboratories (NDL), National Applied Research Laboratories, Hsinchu, 30078, Taiwan. ywlanblue@gmail.com)

National Nano Device Laboratories (NDL), National Applied Research Laboratories, Hsinchu, 30078, Taiwan. ywlanblue@gmail.com について

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Lan Yann-Wen

Lan Yann-Wen について

(Department of Electrical Engineering, University of California at Los Angeles, Los Angeles, CA, 90095, USA. ywlanblue@gmail.com)

Department of Electrical Engineering, University of California at Los Angeles, Los Angeles, CA, 90095, USA. ywlanblue@gmail.com について

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Torres Carlos M. Jr.

Torres Carlos M. Jr. について

(Department of Electrical Engineering, University of California at Los Angeles, Los Angeles, CA, 90095, USA. torresjrcarlos@gmail.com)

Department of Electrical Engineering, University of California at Los Angeles, Los Angeles, CA, 90095, USA. torresjrcarlos@gmail.com について

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Tsai Shin-Hung

Tsai Shin-Hung について

(Department of Electrical Engineering, University of California at Los Angeles, Los Angeles, CA, 90095, USA)

Department of Electrical Engineering, University of California at Los Angeles, Los Angeles, CA, 90095, USA について

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Zhu Xiaodan

Zhu Xiaodan について

(Department of Electrical Engineering, University of California at Los Angeles, Los Angeles, CA, 90095, USA)

Department of Electrical Engineering, University of California at Los Angeles, Los Angeles, CA, 90095, USA について

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Shi Yumeng

Shi Yumeng について

(Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)

Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia について

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Li Ming-Yang

Li Ming-Yang について

(Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)

Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia について

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Li Ming-Yang

Li Ming-Yang について

(Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei, 10617, Taiwan)

Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei, 10617, Taiwan について

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Li Lain-Jong

Li Lain-Jong について

(Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)

Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia について

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Yeh Wen-Kuan

Yeh Wen-Kuan について

(National Nano Device Laboratories (NDL), National Applied Research Laboratories, Hsinchu, 30078, Taiwan)

National Nano Device Laboratories (NDL), National Applied Research Laboratories, Hsinchu, 30078, Taiwan について

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Yeh Wen-Kuan

Yeh Wen-Kuan について

(Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, Kaohsiung, 811, Taiwan)

Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, Kaohsiung, 811, Taiwan について

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Wang Kang L.

Wang Kang L. について

(Department of Electrical Engineering, University of California at Los Angeles, Los Angeles, CA, 90095, USA. wang@seas.ucla.edu)

Department of Electrical Engineering, University of California at Los Angeles, Los Angeles, CA, 90095, USA. wang@seas.ucla.edu について


資料名：
Small  (Small)

Small について


巻： 12  号： 41  ページ： 5676-5683  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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導電性チャネルとしてMoS_2の単分子層を利用した新しいトンネル電界効果トランジスタにおけるバンド間トンネリングの実験的観測を実証した。著者らの結果は,単分子層MoS_2のような,二次元材料により可能となった強いゲート結合効率は,バンド間トンネル電流と両極性輸送の直接発現することを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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チャネル

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*単原子層

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単分子層

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トンネル効果

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導電性

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二次元

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準シソーラス用語：
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トンネル電流

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結合効率

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*トンネル電界効果トランジスタ

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著者キーワード (5件)：
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MoS2

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遷移金属二カルコゲン化物

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トンネル電界効果トランジスタ

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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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単原子層

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トンネル電界効果トランジスタ

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