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J-GLOBAL ID：201702218340606096   整理番号：17A0402952

表面増強Raman散乱デバイスのためのプラズマ再重合法によるコーン林のウエハレベル作製【Powered by NICT】

Wafer-level fabrication of nanocone forests by plasma repolymerization technique for surface-enhanced Raman scattering devices

著者 (10件)： Mao Haiyang (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, No. 3 Bei-Tu-Cheng West Road, Beijing 100029, PR China) ,  Huang Chengjun (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, No. 3 Bei-Tu-Cheng West Road, Beijing 100029, PR China) ,  Wu Wengang (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication, Institute of Microelectronics, Peking University, No. 5 Yiheyuan Road, Beijing 100871, PR China) ,  Xue Mei (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, No. 3 Bei-Tu-Cheng West Road, Beijing 100029, PR China) ,  Yang Yudong (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, No. 3 Bei-Tu-Cheng West Road, Beijing 100029, PR China) ,  Yang Yudong (National Key Laboratory for Electronic Measurement Technology, North University of China, No. 1 Xueyuan Road, Taiyuan 030051, PR China) ,  Xiong Jijun (National Key Laboratory for Electronic Measurement Technology, North University of China, No. 1 Xueyuan Road, Taiyuan 030051, PR China) ,  Ming Anjie (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, No. 3 Bei-Tu-Cheng West Road, Beijing 100029, PR China) ,  Wang Weibing (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, No. 3 Bei-Tu-Cheng West Road, Beijing 100029, PR China) ,  Wang Weibing (Kunshan MicroOptic Electronic Co., Ltd, No.145 Daqiao Road, Zhouzhuang, Kunshan, 215325, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 1085-1091  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノコーンフォレストに基づく表面増強Raman散乱(SERS)デバイスの新しいタイプを提示した。ナノコーン森林はプラズマ重合法を用いて作製した,これはウエハレベル製造における高い再現性を持つことを簡単なと並列アプローチである。ナノコーン森林ベースSERSデバイスは3×10~6のオーダでの平均増強因子を示し,一方,大面積にわたってRaman強度の相対標準偏差は約7%であった。これらの実験結果は,広い用途におけるナノコーン森林ベースSERSデバイスの大きな可能性を実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 再現性 ,  *重合 ,  Raman強度 ,  *表面増強Raman散乱 ,  プラズマ重合 ,  *プラズマ
準シソーラス用語： 相対標準偏差 ,  大面積 ,  ナノコーン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ナノフォレスト ,  表面増強Raman散乱(SERS)デバイス ,  プラズマ再重合技術 ,  ウエハレベル作製 ,  相対標準偏差

分類 (3件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 表面増強Raman散乱 ,  プラズマ ,  重合法 ,  コーン ,  ウエハレベル ,  作製