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J-GLOBAL ID：201702218351755128   整理番号：17A0181021

電気的に注入したAlGaNはナノワイヤ深紫外レーザ【Powered by NICT】

Electrically injected AlGaN nanowire deep ultraviolet lasers

著者 (6件)： Mi Z. (Department of Electrical and Computer Engineering, McGill University, 3480 University Street, Montreal, Quebec H3A 0E9, Canada) ,  Zhao S. (Department of Electrical and Computer Engineering, McGill University, 3480 University Street, Montreal, Quebec H3A 0E9, Canada) ,  Liu X. (Department of Electrical and Computer Engineering, McGill University, 3480 University Street, Montreal, Quebec H3A 0E9, Canada) ,  Woo S. Y. (Department of Materials Science and Engineering and Canadian Centre for Electron Microscopy, McMaster University, 1280 Main Street West, Hamilton, ONL8S 4M1, Canada) ,  Bugnet M. (Department of Materials Science and Engineering and Canadian Centre for Electron Microscopy, McMaster University, 1280 Main Street West, Hamilton, ONL8S 4M1, Canada) ,  Botton G. A. (Department of Materials Science and Engineering and Canadian Centre for Electron Microscopy, McMaster University, 1280 Main Street West, Hamilton, ONL8S 4M1, Canada)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IPC  ページ： 311-312  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 紫外(UV) BおよびUV CバンドにおけるAlGaNナノワイヤレーザの実証を報告した。AlGaNナノワイヤをSi基板上に直接成長させ,量子ドット様ナノ構造の存在によって特性化した。室温では,レーザ発振しきい値は約30μAと測定された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ナノ構造 ,  *ナノワイヤ ,  キャラクタリゼーション ,  *レーザ ,  レーザ発振 ,  量子ドット
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  UV-C ,  *深紫外線 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 注入 ,  AlGaN ,  ナノワイヤ ,  深紫外 ,  レーザ