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J-GLOBAL ID:201702218789457882   整理番号:17A0107494

温室トマトの成長特性に及ぼす基質としてのセンサの埋設位置の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Composite Matrix Moisture Sensor Location on Growth Characteristics of Greenhouse Tomato
著者 (5件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 40-44,50  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2908A  ISSN: 1672-3317  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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温室トマトの成長特性に及ぼす実時間制御灌漑システムの影響を研究するために,トマトブロックを試験材料として用い,ランダムブロック実験計画法を採用した。すなわち、水分センサーの水平距離(5、10、15CM)とエミッタの垂直距離(10、15CM)を結合した後、埋設し、異なる処理がトマトの生長指標、光合成指標、品質、収量、乾物量及び灌漑指標に与える影響を分析した。その結果,T3処理(10CMから10CMの距離,10CMから10CMの距離)の成長指数はより良く,根の発達,根の比率は最も高く,蒸散率はより高く,乾物量は最も多く,果実のVC量は他の処理よりも有意に高かった。T4処理(エミッタの水平距離10CM,エミッタからの垂直距離15CM)は正味光合成速度と光化学変換率が最も高く,糖酸が比較的高かったが,T4処理の水生産効率はT3処理より有意に低かった。総合的分析によると,基質の水平距離は10CMであり,垂直距離は10CMの距離において合理的である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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