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J-GLOBAL ID：201702218824496423   整理番号：17A0697410

立方晶(100)GaN/MgO上に成長させたIn_XGa_1XN薄膜の複素屈折率【Powered by NICT】

Complex refractive index of In_XGa_1-XN thin films grown on cubic (100) GaN/MgO

著者 (6件)： Vilchis H. (Coordinacion para la Innovacion y la Aplicacion de la Ciencia y la Tecnologia (CIACYT), Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Alvaro Obregon 64, 78000 San Luis Potosi, S.L.P., Mexico) ,  Compean-Garcia V.D. (CONACYT - Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Alvaro Obregon 64, 78000 San Luis Potosi, S.L.P., Mexico) ,  Orozco-Hinostroza I.E. (Instituto Potosino de Investigacion Cientifica y Tecnologica (IPICYT), Camino a la Presa San Jose 2055, Col. Lomas 4a Seccion, 78216 San Luis Potosi, S.L.P., Mexico) ,  Lopez-Luna E. (Coordinacion para la Innovacion y la Aplicacion de la Ciencia y la Tecnologia (CIACYT), Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Alvaro Obregon 64, 78000 San Luis Potosi, S.L.P., Mexico) ,  Vidal M.A. (Coordinacion para la Innovacion y la Aplicacion de la Ciencia y la Tecnologia (CIACYT), Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Alvaro Obregon 64, 78000 San Luis Potosi, S.L.P., Mexico) ,  Rodriguez A.G. (Coordinacion para la Innovacion y la Aplicacion de la Ciencia y la Tecnologia (CIACYT), Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Alvaro Obregon 64, 78000 San Luis Potosi, S.L.P., Mexico)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 626  ページ： 55-59  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_XGa_1XN薄膜の分光学的偏光解析法測定は0.6~4.75eVの光子エネルギー範囲で行った。試料はプラズマ支援分子ビームエピタクシーによる立方晶GaN/MgO(100)テンプレート基板上に成長させた。エネルギーギャップと光学的性質,屈折率(η)および消衰係数(κ)はパラメトリック誘電関数モデルによる実験データの解析から得た。著者らの結果は,立方晶In_XGa_1XNの光学バンドギャップの挙動はE_g(x)=1.407X~2 3 0.662 3.2eVに適合することを示した。1.4±0.1eVの得られたボーイングパラメータは1.37eV周りで計算した報告されている値と良く一致した。屈折分散関係η(ω)とκ(ω)の複素屈折率は,いくつかのIn濃度の85 99%主に立方晶In_XGa_1XN膜で得られた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *屈折率 ,  *複素屈折率 ,  *屈折 ,  MBE成長 ,  *窒化ガリウム ,  分散関係 ,  *酸化マグネシウム ,  誘電関数 ,  *インジウム ,  光学的性質 ,  *薄膜 ,  光学ギャップ ,  プラズマ
準シソーラス用語： 消衰係数 ,  分光偏光解析法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Ellipsometry ,  III-窒化物 ,  分子ビームエピタクシー

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 立方晶 ,  GaN ,  MgO ,  成長 ,  薄膜 ,  複素屈折率