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J-GLOBAL ID：201702218836178692   整理番号：17A0214156

相変化メモリの究極のスケーリング限界に向けて【Powered by NICT】

Towards ultimate scaling limits of phase-change memory

著者 (7件)： Xiong F. (Stanford University, Electrical Engineering, Stanford, CA 94305, USA) ,  Yalon E. (Stanford University, Electrical Engineering, Stanford, CA 94305, USA) ,  Behnam A. (Univ. Illinois Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801, USA) ,  Neumann C.M. (Stanford University, Electrical Engineering, Stanford, CA 94305, USA) ,  Grosse K.L. (Univ. Illinois Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801, USA) ,  Deshmukh S. (Stanford University, Electrical Engineering, Stanford, CA 94305, USA) ,  Pop E. (Stanford University, Electrical Engineering, Stanford, CA 94305, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 4.1.1-4.1.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 可逆材料相転移(例えば非晶質結晶)に基づくデータ貯蔵はほぼ五年間研究されてきた。それにもかかわらず,いくつかの相変化メモリ技術(例えばGeSbTe)は,可能な最小のメモリセルの物理的スケーリング限界に近づいていることを過去五年間だけであった。ここでは,著者らのグループおよび他の,ビット当たりの単一femtojoulesに近いスイッチングエネルギーのサブ10nmスケールPCMを達成したからの最近の結果をレビューした。基本的限界は記憶材料の立方晶ナノメートル当たり単一attojoulesまで低くできた,実際にそのような限界に近い電気的および熱的寄生,すなわち接触と界面により強く制限された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 記憶素子 ,  非晶質 ,  界面 ,  結晶 ,  *データ蓄積
準シソーラス用語： *相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 相変化メモリ ,  スケーリング ,  限界