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J-GLOBAL ID:201702218893408488   整理番号:17A0605318

金属-酸化物-半導体光電極の反射防止コーティングと局所絶縁破壊

Localized dielectric breakdown and antireflection coating in metal-oxide-semiconductor photoelectrodes
著者 (8件):
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巻: 16  号:ページ: 127-131  発行年: 2017年01月 
JST資料番号: W1364A  ISSN: 1476-1122  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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絶縁体薄膜が保護層として役立つ金属-絶縁体-半導体構造は,腐食を防ぐことができるだけでなく,低抵抗のキャリア輸送を可能にしなければならないので,安定性と効率のトレードオフをもたらす。本研究では,局所絶縁破壊を使用することにより,その絶縁体の二つの役割を分離する方法を示した。本方法は,絶縁体が厚くなるので,安定性が高まり,同時に効率のために要求された低抵抗のキャリア輸送を可能にした。本方法は,SiO2やAl2O3などの酸化物に適用された。さらに,それは,光カソードや光アノードのためのシリコン,III-V化合物および他の光吸収体に適している。厚い金属酸化物層は薄膜反射防止コーティングとして役立ち,光吸収効率を増加させた。
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分類 (2件):
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金属-絶縁体-半導体構造  ,  電気化学反応 
タイトルに関連する用語 (4件):
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