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J-GLOBAL ID：201702219004271921   整理番号：17A0758079

低電圧炭化けい素NMOSトランジスタの電気的安全動作領域【Powered by NICT】

Electrical safe operating area of low-voltage silicon carbide NMOS transistors

著者 (4件)： Jarard Dan Thomas (Alan Mantooth Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas) ,  Ahmed Shamim (Alan Mantooth Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas) ,  Vrotsos Tom (Alan Mantooth Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas) ,  Chen Zhong (Alan Mantooth Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： WiPDA  ページ： 236-241  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドバンドギャップ高密度パワーモジュールの傾向は,相互接続からの寄生を減少させて,パワー密度を増加させるための単一パッケージへの高電圧パワーデバイスと低電圧ワイドバンドギャップ駆動回路のモノリシック集積である。同一パッケージにおける高電圧と低電圧成分の両方を用いて,集積回路とシステムの保護が非常に困難である。ワイドバンドギャップパワーモジュールのための十分な保護を提供するために,信頼性ストレス下のワイドバンドギャップデバイスの電気的安全動作領域(SOA)を理解する必要がある。本論文では,低電圧炭化けい素(SiC)NMOSトランジスタのSOAを初めて報告した。低電圧(すなわち 15V)SiC NMOSトランジスタはRaytheonシステム制限された[1]からの高温炭化けい素(HiTSiC)プロセスを用いて作製した。デバイスのチャネル長(L)が0.8μmから2μmに変化した。デバイスの幅(W)は4μmから20μmに変化した。伝送線路パルス(TLP)システムを用いて,短応力パルス(100~ns)条件下で素子を特性化した。SOAにチャネル長さ及び異なるゲートバイアス下でのSiC NMOSトランジスタの電流スケーラビリティの影響を実証した。は典型的なSiC NMOSデバイスはゲートバイアスなしで0.2mA/μm L=1μmの破壊電流(It2)を持つことが観察された。SiC NMOSトランジスタの静電気放電(ESD)ロバスト性についても述べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *トランジスタ ,  *炭化ケイ素 ,  集積回路 ,  電流 ,  高温 ,  信頼性 ,  ロバスト性 ,  駆動回路 ,  チャネル ,  *NMOS構造 ,  相互接続
準シソーラス用語： チャネル長 ,  パワーモジュール ,  ワイドバンドギャップ ,  *低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低電圧 ,  炭化けい素 ,  NMOS ,  トランジスタ ,  安全動作領域