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J-GLOBAL ID：201702219025930401   整理番号：17A0218934

ミスカットSi(001)基板上の自己組織化によるGeSiナノ構造の有望な改良に向けて

Towards promising modification of GeSi nanostructures via self-assembly on miscut Si(001) substrates

著者 (3件)： ZHOU Tong (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  ZHOU Tong (Shandong Univ. Technol., Zibo, CHN) ,  ZHONG Zhenyang (Fudan Univ., Shanghai, CHN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 27  号： 11  ページ： 115601,1-6  発行年： 2016年03月18日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,広い範囲のミスカット角と方位角,Ge量,および成長温度に関して,GeSiナノ構造の自己組織化に対する基板ミスカットの影響について報告した。Si(001)/[110]ミスカット角とSi(001)/[010]ミスカット角で示される[110]方位と[010]方位に向かう広い範囲のミスカット角を有するSi(001)表面上に分子線エピタキシにより,GeまたはGeSi膜を成長した。試料の表面形態は,原子間力顕微鏡法を用いて特徴づけた。ミスカット角に対する自己組織化GeSiナノ構造の形状,密度,および空間的秩序の依存性は,広い範囲のミスカット角について,隣接する表面上で観察され,GeSiナノ構造の構成も方位角により著しく影響された。Si(001)/[010]/基板上のGe量の変化を伴うナノ構造の形状の変化は,異なる成長温度のものと類似していることが見出された。著者等は,ミスカット基板が,ヘテロエピタキシーの間に自己組織化ナノ構造の成長を容易に変更するための革新的自由度を提供することを実証した。

シソーラス用語： *切断 ,  *ケイ素 ,  *自己組織化 ,  *半導体材料 ,  *ナノ構造 ,  薄膜成長 ,  方位角 ,  ゲルマニウム ,  温度 ,  MBE成長 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  顕微鏡観察 ,  ヘテロエピタクシー
準シソーラス用語： *ミスカット ,  Si ,  *SiGe ,  Ge ,  成長温度 ,  分子線エピタクシー成長 ,  表面形態 ,  原子間力顕微鏡法

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： ミスカット ,  Si ,  自己組織化 ,  ナノ構造