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J-GLOBAL ID：201702219035387696   整理番号：17A0402877

新しい2次元希薄磁性半導体の設計:MnドープGaN単分子層【Powered by NICT】

Design of a new two-dimensional diluted magnetic semiconductor: Mn-doped GaN monolayer

著者 (8件)： Zhao Qian (Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science & Technology Normal University, Nanchang 330038, People’s Republic of China) ,  Zhao Qian (Materials Genome Institute, Shanghai University, Shanghai 200444, People’s Republic of China) ,  Xiong Zhihua (Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science & Technology Normal University, Nanchang 330038, People’s Republic of China) ,  Luo Lan (School of Materials Science and Engineering, Nanchang University, Nanchang 330031, People’s Republic of China) ,  Sun Zhenhui (Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science & Technology Normal University, Nanchang 330038, People’s Republic of China) ,  Qin Zhenzhen (College of Electronic Information and Optical Engineering, Nankai University, Tianjin 300071, People’s Republic of China) ,  Chen Lanli (Materials Genome Institute, Shanghai University, Shanghai 200444, People’s Republic of China) ,  Wu Ning (Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science & Technology Normal University, Nanchang 330038, People’s Republic of China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 480-483  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低次元スピントロニクス素子の必要性を満たすために,第一原理法を用いてMnドープGaN単分子層の電子構造と磁気的性質を調べた。非磁性GaN単分子層は二重交換機構に起因するMnドーピングによる半金属強磁性を見せることが分った。興味あることに,MnドープGaN単分子層における強磁性結合は,引張歪によって増強され,圧縮歪によって弱まった。,強磁性-反強磁性転移は圧縮歪 9.5%の下で発生した。これらの結果は,新しいGaN単分子層系希薄磁性半導体の作製のための実現可能な方法を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半金属 ,  *ドーピング ,  強磁性 ,  *窒化ガリウム ,  第一原理 ,  *二次元 ,  *磁性 ,  *単分子層 ,  *マンガン ,  強磁性-反強磁性転移 ,  圧縮歪 ,  引張歪 ,  *希薄磁性半導体
準シソーラス用語： スピントロニクス素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： MnドープGaN単分子層 ,  磁気的性質 ,  電子構造 ,  第一原理計算

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 2次元 ,  希薄磁性半導体 ,  設計 ,  Mn ,  ドープ ,  GaN ,  単分子層